| 主权项 |
1.一种单结晶提拉方法,系针对以CZ法来提拉半导 体单结晶之方法,其特征为具有:一边连 续地供给原料使半导体融液量维持一定,一边提拉 半导体单结晶之第1制程;以及停止原料 之供给后,以在上述制程中所残留下之融液作为原 料,来提拉半导体单结晶之第2制程。2.如申请专利 范围第1项之单结晶提拉方法,其中,系在上述第2制 程中,使液面高度维持一 定高度位置。3.如申请专利范围第1项之单结晶提 拉方法,其中,系在上述第1制程与第2制程之间介有 使 原料之供应量依一定比例减少最终为零之中间过 渡制程。4.如申请专利范围第2项之单结晶提拉方 法,其中,系在上述第1制程与第2制程之间介有使 原料之供应量依一定比例减少最终为零之中间过 渡制程。5.如申请专利范围第3项之单结晶提拉方 法,其中,系在上述中间过渡制程中,液面之高度 被维持在一定之高度位置。6.如申请专利范围第4 项之单结晶提拉方法,其中,系在上述中间过渡制 程中,液面之高度 被维持在一定之高度位置。7.如申请专利范围第1 项之单结晶提拉方法,其中,系具有一边使原料供 给量慢慢地减少, 一边提拉半导体单结晶之第3制程,来取代上述第2 制程,此第3制程由上述第1制程之终了时 间开始,进行至半导体单结晶之定直径部提拉终了 时间为止。8.如申请专利范围第7项之单结晶提拉 方法,其中,系在上述第3制程中,液面之高度被维持 在一定之高度位置。图示简单说明: 第一图A以及第一图B系表示在本发明之单结晶提 拉方法中,原料供给形态随着经过时间 变化之图,第一图A系表示根据第1实施形态之原料 供给形态,第一图B系表示根据第2实施形 态之原料供给形态。 第二图A系表示单结晶提拉装置之一例之断面图。 第三图系表示根据本发明之单结晶提拉方法之第1 实施形态,由实验例所成长之半导体 单结晶之概略图。 第四图系表示以从来之单结晶提拉方法所成长之 半导体单结晶之概略图。 第五图系表示以从来之其他的单结晶提拉方法所 成长之半导体单结晶之概略图。 |
