| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 某内部信号以充放电之电容器; 以及用以感测前述输出线之感测电路为特征者。2 .一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 某内部信号以充放电,且在前述非挥发性 半导体记忆胞之感测时间以外期间充电之电容器; 以及用以感测前述输出线之感测电路为特征者。3 .一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 所记忆数据系用来感测之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 某内部信号以充放电之电容器; 用以将前述电容器一端与前述输出线连接或遮离 之开关[switch]; 以及用以感测前述输出线之感测电路为特征者。4 .一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第1内部信号以充放电之第1电容器; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第2内部信号以充放电之第2电容器; 以及用以感测前述输出线之感测电路; 前述第1电容器及第2电容器系予以交互动作为特 征者。5.一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第1内部信号以充放电,且在前述非挥发 性半导体记忆胞之感测时间以外期间充电之第1电 容器; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第2内部信号以充放电,且在前述非挥发 性半导体记忆胞之感测时间以外期间充电之第2电 容器; 以及用以感测前述输出线之感测电路, 前述第1电容器及第2电容器系予以交互动作为特 征者。6.一种非挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第1内部信号以充放电第1电容器; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 第2内部信号以充放电第2电容器; 用以感测前述输出线之感测电路; 以及用以使前述第1电容器或第2电容器与前述感 测电路连接或遮离之开关,使前述第1电容 器及第2电容器予以交互动作为特征者。7.一种非 挥发性半导体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 某内部信号以充放电之电容器; 以及用以感测前述电容器之输出电压的感测电路; 以及产生用以控制前述非挥发性半导体记忆胞之 感测信号的时序信号之时序信号产生电路, 以便相应于该时序信号产生电路之时序信号,以驱 动前述感测电路为特征者。8.一种非挥发性半导 体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 某内部信号以充放电,且在前述非挥发性 半导体记忆胞之感测时间以外期间充电之电容器; 用以感测前述电容器之输出电压的感测电路; 以及产生用以控制前述非挥发性半导体记忆胞之 感测信号的时序信号之时序信号产生电路; 用以相应于该时序信号产生电路之时序信号,以驱 动前述感测电路为特征者。9.一种非挥发性半导 体记忆装置,具备: 用以记忆数据之非挥发性半导体记忆胞; 连接前述非挥发性半导体记忆胞之输出线,相应于 其内部信号以充放电之电容器; 用以感测前述输出线之感测电路; 用以连接或遮离前述感测电路与前述电容器之开 关; 以及产生用以控制前述非挥发性半导体记忆胞之 感测信号的时序信号之时序信号产生电路; 以便相应于该时序信号产生电路产生之时序信号, 以驱动前述感测电路及前述开关为特征者 。图式简单说明: 第一图为表示本发明一实施形态之非挥发性半导 体记忆装置之块图。 第二图为分离闸型非挥发性半导体记忆胞之剖面 图。 第三图为表示非挥发性半导体记忆装置之周边设 备的方块图。 第四图为用以说明本发明非挥发性半导体记忆装 置之动作之图。 第五图为用以说明第一图动作之波形图。 第六图为表示本发明另一实施形态非挥发性半导 体记忆装置之方块图。 第七图为表示习用非挥发性半导体记忆装置之电 路例。 |
