| 主权项 |
1.一种光敏组成物,包括 (A)含羧基光敏聚合物,其由(a)含不饱和双键与羧基 之化合物及(b)含不饱和双键之化合物 所成共聚物与(c)含不饱和双键与环氧基之化合物 的反应制成, (B)稀释剂, (C)光聚合起始剂, (D)无机粉, (E)安定剂。2.如申请专利范围第1项之组成物,其中 含羧基光敏聚合物(A)之量占组成物总量之5至30wt% 。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中含羧基光 敏聚合物(A)之重量平均分子量为500至 50000,且在每重量平均分子量400至4000中含有一个不 饱和基。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中含 不饱和双键与羧基化合物(a)系选自丙烯酸,甲基 丙烯酸,衣康酸,巴豆酸,顺丁烯二酸,反丁烯二酸, 乙烯乙酸,或其酸酐;以及酸酐与( 甲基)丙烯酸羟烷酯之反应产物。5.如申请专利范 围第1项之组成物,其中含不饱和双键化合物(b)系 选自苯乙烯,氯苯乙烯, 与-甲基苯乙烯,(甲基)丙烯酸烷酯,聚乙二醇之 单(甲基)丙烯酸酯,聚丙二醇之单(甲基 )丙烯酸酯,乙酸乙烯酯,丁酸乙烯酯,苯甲酸乙烯酯 ,丙烯醯胺,甲基丙烯醯胺, N-羟甲 基丙烯醯胺,N-羟甲基甲基丙烯醯胺,N-甲氧甲基丙 烯醯胺,N-乙氧甲基丙烯醯胺,N-丁氧 甲基丙烯醯胺,丙烯与异丁烯。6.如申请专利范 围第1项之组成物,其中含不饱和双键化合物(b)系 选自苯乙烯,-甲基苯 乙烯,(甲基)丙烯酸低烷酯,与异丁烯。7.如申请专 利范围第1项之组成物,其中含不饱和双键与环氧 基化合物(c)系选自不饱和羧酸 与表氯醇之酯化产物,含不饱和双键单环氧单体, 不饱和羧酸与含多个环氧基的化合物反应 之寡聚物及下式(1)至(4)之化合物; 其中R1与R4各为氢或甲基, R2为C1-C12脂族烃, R3为8.如申请专利范围第1至7项中任一项之组成物, 其中稀释剂(B)系选自有机溶剂及含不饱和 基之光可聚合单体,且用量在100重量份含羧基光敏 聚合物(A)中为1至200重量份。9.如申请专利范围第1 至7项中任一项之组成物,其中光聚合起始剂(C)之 用量在100重量份含 羧基光敏聚合物(A)中为1至20重量份。10.如申请专 利范围第1至7项中任一项之组成物,其中无机粉(D) 系选自金属粉,玻璃粉,黑 色颜料至少一者。11.如申请专利范围第10项之组 成物,其中金属粉的平均粒径不超过10,且用量在 100重量 份含羧基光敏聚合物(A)中为25至1000重量份。12.如 申请专利范围第10项之组成物,其中玻璃粉的平均 粒径不超过10,且软化点为 300-600℃,其用量为50-2000重量份[以100重量份之含羧 基光敏聚合物(A),稀释剂(B)与光 聚合起始剂(C) 为基准]。13.如申请专利范围第1至7 项中任一项之组成物,其中安定剂(E)系选自无机酸 ,有机酸,无 机磷酸与有机磷酸至少一者。14.如申请专利范围 第13之组成物,其中安定剂(E)之用量在100重量份无 机粉(D)中为0.1至5 重量份。15.如申请专利范围第1至7项中任一项之 组成物,其系呈浆状。16.如申请专利范围第1至7项 中任一项之组成物,其系呈膜状。17.一种煆烧图案 ,系由将如申请专利范围第1至7项中任一项之组成 物所成之膜固定放置在 基板上,图案化后毁烧而制得。图式简单说明: 第一图为平面放电系统之AC型PDP的分解透视图。 第二图A至第二图D以分解断面图说明本发明方法 具体例之流程。 |
