| 主权项 |
1. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶板,其中,在 该靶 板之喷溅涂覆表面之不同部分上之该平均结晶晶 粒直径, 其是为500微米或是更小,且该平均 @qf 结晶晶粒直径之分散度系是在 20%之间。2. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶板 ,其中,相关于( 002),(103),(104)及(105)平面上藉由X光射线绕射在该 靶板之喷溅涂布表面之不同部份上量测之定向含 量比例A ,其以下面之数値公式1为基础来被量测之値系有 是一分 散度在20%之间,其中该公式1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。3. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中(a)在该靶 板之喷溅涂覆表面之各个不同部分处之平均结晶 晶粒直径 系是为500微米或是更小,且该平均结晶晶粒直径之 分散 是在20%之中,及(b)相关于(002),(103),(014)及( 015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅涂布 表面之 不同部分上量测之定向含量比例A,其以下面之数 値公式1 为基础来被量测之値系有是一分散度在20%之间, 其中 该公式1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。4. 如申请专利范围第1至3项中任一项 之高纯度钛金属之 喷溅涂覆用靶板,其中,该靶板之结晶结构是为一 再结晶 结构。5. 如申请专利范围第1至3项中任一项之高 纯度钛金属之 喷溅涂覆用靶板,其中,在该靶板之喷溅涂覆表面 之不同 部份上之平均结晶晶粒直径,其是为100微米或是更 小。6. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶板,其中 ,(a)该靶 板之结晶结构是为一再结晶结构,(b)在该靶板之喷 溅涂 覆表面之各个不同部分处之平均结晶晶粒直径系 是为100 微米或是更小, @qf 且该平均结晶晶粒直径之分散是在 20%之中,及(c)相关于(002), (103),(014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板 之 喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向含量比例A ,其以 下面之数値公式1为基础来被量测之値系有是一分 散度在 20%之间,其中,该公式1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。7. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,相关( 002),(103),(014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该 靶板之喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向含 量比例A ,其以下面之数値公式1为基础来被量测之値系为80 %或更 少,其中该公式1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。8. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)相关 (002),(103),(014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在 该靶板之喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向 含量比例 A,其以下面之数値公式1为基础来被量测之値系为 80%或 更少,及(b)该定向含量比例A是有一分散度在20%之 间 ,其中该公式1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。9. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)相关 (002),(103),(014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在 该靶板之喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向 含量比例 A,其以下面之数値公式1为基础来被量测之値系为 80%或 更少,及(b)相关于(002)平面上藉由X光射线绕射在该 靶 板之喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向含量 比例B, 其以下面之数値公式2为基础来被量测之値系为20% 或更少 ,其中,该公式1和2系分别为 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡); 公式2 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。10. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)相 关(002),(103),(014)及(015)平面上藉由X光射线绕射 在该靶板之喷溅涂布表面之不同部分上量测之定 向含量比 例A,其以下面之数値公式1为基础来被量测之値系 为80% 或更少,(b)该定向含量比例A是有一分散度在20%之 间 ,及(c)相关于(002)平面上藉由X光射线绕射在该靶板 之 喷溅涂布表面之不同部分上量测之定向含量比例B ,其以 下面之数値公式2为基础来被量测之値系为20%或更 少,其 中该公式1和2系分别为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡) 公式2 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。11. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)在 该靶板之喷溅涂覆用靶板表面之不同部分上之平 均结晶晶 粒直径,其是为500微米或是更小,且该平均结晶晶 粒直 径之分散度是在20%之间,及(b)相关(002),(103),( 014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅 涂布 表面之不同部分上量测之定向含量比例A,其以下 面之数 値公式1为基础来被量测之値系为80%或更少,其中 该公式 1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。12. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)在 该靶板之该喷溅涂覆用靶板表面之不同部分上之 平均结晶 晶粒直径,其是为500微米或是更小,且该平均结晶 晶粒 直径之分散度是在20%之间,及(b)相关(002),(103), (014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷 溅涂 布表面之不同部分上量测之定向含量比例A,其以 下面之 数値公式1为基础来被量测之値系为80%或更少,及(c )该 定向含量比例A是有一分散度在20%之间,其中,该公 式 1系为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。13. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)在 该靶板之该喷溅涂覆用靶板表面之不同部分上之 平均结晶 晶粒直径,其是为500微米或是更小,且该平均结晶 晶粒 直径之分散度是在20%之间,(b)相关(002),(103),( 014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅 涂布 表面之不同部分上量测之定向含量比例A,其以下 面之数 値公式1为基础来被量测之値系为80%或更少,及(c) 相关 于(002)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅涂 布表面 之不同部分上量测之定向含量比例B,其以下面之 数値公 式2为基础来被量测之値系为20%或更少,其中该公 式1和2 系分别为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。 公式2 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡);14. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶 板,其中,(a)在 该靶板之该喷溅涂覆用靶板表面之不同部分上之 平均结晶 晶粒直径,其是为500微米或是更小,且该平均结晶 晶粒 直径之分散度是在20%之间,(b)相关(002),(103),( 014)及(015)平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅 涂布 表面之不同部分上量测之定向含量比例A,其以下 面之数 値公式1为基础来被量测之値系为80%或更少,(c)该 定向 含量比例A是有一分散度在20%之间,及(d)相关于(002 ) 平面上藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅涂布表面 之不同 部分上量测之定向含量比例B,其以下面之数値公 式2为基 础来被量测之値系为20%或更少,其中该公式1和2系 分别 为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡); 公式2 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡)。15. 如申请专利范围第7至14项中任一项 之高纯度钛金属 之喷溅涂覆用靶板,其中,在相关于(002),(103),(014 )及(015)平面上之该定向含量比例A,其是为50%或是 更小 。16. 如申请专利范围第7至14中任一项之高纯度钛 金属之 喷溅涂覆用靶板,其中,该靶板之结晶结构是为一 再结晶 结构。17. 如申请专利范围第7至14中任一项之高纯 度钛金属之 喷溅涂覆用靶板,其中,在该靶板之喷溅涂覆表面 之不同 部分上之平均结晶晶粒直径,其系为100微米或是更 小。18. 一种高纯度钛金属之喷溅涂覆用靶板,其 中,(a)在 该靶板之结晶结构是为一再结晶结构,(b)在该靶板 之喷 溅涂覆表面之不同部分上之平均结晶晶粒直径,其 系为 100微米或是更小,且该平均结晶晶粒直径之分散度 是在 20%之间,(c)相关(002),(103),(014)及(015)平面上 藉由X光射线绕射在该靶板之喷溅涂布表面之不同 部分上 量测之定向含量比例A,其以下面之数値公式1为基 础来被 量测之値系为50%或更少,(d)该定向含量比例A是有 一分 散度在20%之间,及(e)相关于(002)平面上藉由X光射 线 绕射在该靶板之喷溅涂布表面之不同部分上量测 之定向含 量比例B,其以下面之数値公式2为基础来被量测之 値系为 20%或更少,其中该公式1和2系分别为: 公式1 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 考JCPDS卡); 公式2 其中I(hk1)是为藉由X光射线绕射所得之(hk1)平面之 尖峰 强度,而R(hk1)则是为该(hk1)平面之相对强度比例(请 参 |
