| 主权项 |
1. 一种淡掺杂汲极电晶体元件之制造方法,其包括 下列 步骤: (a) 在矽基底上,形成场区氧化物以区隔出元件区; (b) 在该矽基底上依序形成第一闸极氧化层及一第 一复晶 矽层; (c) 藉罩幕定义图案,依序蚀刻该第一闸极氧化层 、第一 复晶矽层,以露出欲形成浓掺杂之源/汲极区域; (d) 形成第二复晶矽层,以上述闸极氧化层、第一 闸极复 晶矽层为罩幕,进行第一次离子布植程序,形成浓 掺杂源 /汲极; (e) 依序蚀刻该第二复晶矽层及第一复晶矽层,以 形成一 闸极复晶矽层,并使该近浓掺杂汲极之部分闸极氧 化层露 出; (f) 沈积一第二氧化层,并利用非等向性蚀刻方式 回蚀刻 ,以在该闸极电极之侧壁形成第一、第二间隔层, 该第一 间隔层系位在上述近浓掺杂汲极之露出的部分闸 极氧化层 上方,而该第二间隔层则位在该浓掺杂源极的上方 ;及 (g) 以斜角度进行第二次离子布植程序,使该离子 分别植 入该浓掺杂源/汲极,以及该第一间隔层下之部分 闸极氧 化层下方区域,并形成一淡掺杂汲极,完成该淡掺 杂汲极 电晶体之制造。2. 如申请专利范围第1项所述之方 法,其中,步骤b,该 第一氧化层系以CVD及热氧化方式之一形成,其厚度 介于 50埃至300埃。3. 如申请专利范围第1项所述之方法, 其中,步骤b,该 第一复晶矽层系以LPCVD法形成,其厚度介于500埃至 1500 埃。4. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,步 骤d,该 第二复晶矽层之厚度介于1000埃至2500埃。5. 如申 请专利范围第1项所述之方法,其中,步骤d,该 第一次离子布植程序为植入磷离子,布植能量约30- 80KeV,植入离子量的110@su1@su5至110@su1@su6 atoms/cm@su2。6. 如申请专利范围第1项所述之方法, 其中,步骤e,该 部分露出之闸极氧化层宽度约0.05m至0.2m。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,步骤f,该 第一间隔层系高于第二间隔层。8. 如申请专利范 围第1项所述之方法,其中,步骤g,该 第二次离子布植程序为,以20度至60度角植入磷离 子,布 植能量约30至80KeV,植入离子量约110@su1@su3至1 10@su 1@su4 atoms/cm@su2。9. 一种淡掺杂汲极电晶体元件之 制造方法,其包括下列 步骤: (a) 在矽基底上,形成场区氧化物以区隔出元件区; (b) 在该矽基底上依序形成第一闸极氧化层及一第 一复晶 矽层; (c) 藉罩幕定义图案,依序蚀刻该第一闸极氧化层 、第一 复晶矽层,以露出欲形成浓掺杂之源/汲极区域; (d) 形成第二复晶矽层,以上述闸极氧化层、第一 复晶矽 层为罩幕,进行第一次离子布植程序,形成浓掺杂 源/汲 极; (e) 依序蚀刻该第二复晶矽层及第一复晶矽层,以 形成一 闸极复晶矽层,并使该近浓掺杂汲极之部分闸极氧 化层露 出; (f) 以垂直角度进行第二次离子布植程序,除该露 出之部 分闸极氧化层外,藉该闸极复晶矽层为罩幕,使该 离子分 别植入浓掺杂源/汲极、以及该露出部分闸极氧化 层之下 方区域,并形成一淡掺杂汲极,完成该淡掺杂汲极 电晶体 之制造。10. 如申请专利范围第9项所述之方法,其 中,步骤b,该 第一氧化层系以CVD及热氧化方式之一形成,其厚度 介于 50埃至300埃。11. 如申请专利范围第9项所述之方法 ,其中,步骤b,该 第一复晶矽层系以LPCVD法形成,其厚度介于500埃至 1500 埃。12. 如申请专利范围第9项所述之方法,其中,步 骤d,该 第二复晶矽层之厚度介于1000埃至2500埃。13. 如申 请专利范围第9项所述之方法,其中,步骤d,该 第一次离子布植程序为植入磷离子,布植能量约30- 80KeV,植入离子量的110@su1@su5至110@su1@su6 atoms/cm@su2。14. 如申请专利范围第9项所述之方法, 其中,步骤e,该 部分露出之闸极氧化层宽度约0.05m至0.2m。15. 如申请专利范围第9项所述之方法,其中,步骤f,该 第二次离子布植程序为植入磷离子,布植能量约50 至 80KeV,植入离子量约110@su1@su3至110@su1@ su4atoms/cm@su2。图示简单说明: 第1图系显示习知淡掺杂汲 极电晶体元件之剖面 图; 第2A至2E图系显示本发明淡掺杂汲极电晶体元件之 制造方 法中,第1实施例的制程步骤;及 第3图系显示本发明淡掺杂汲极电晶体元件之制造 方法中 |
