发明名称 |
MOS CIRCUIT FOR SWITCHING HIGH VOLTAGES ON A SEMICONDUCTOR CHIP |
摘要 |
Zum Schalten einer hohen negativen Spannung (-Vpp), beispielsweise als Programmierspannung auf die Wortleitung eines Flash-Speichers, sind zwei Varianten von Schaltungsanordnungen angegeben, die nur mit Transistoren gebildet sind, die vom selben Leitungstyp wie das Substrat sind. Dadurch kann auf tiefe isolierende Wannen verzichtet werden, die einer speziellen Technologie bedürfen.
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申请公布号 |
WO9623356(A1) |
申请公布日期 |
1996.08.01 |
申请号 |
WO1995DE01875 |
申请日期 |
1995.12.29 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;HANNEBERG, ARMIN;TEMPEL, GEORG |
发明人 |
HANNEBERG, ARMIN;TEMPEL, GEORG |
分类号 |
G11C16/06;G11C5/14;G11C16/12;G11C16/14;H03K3/356;H03K17/10;H03K17/693;(IPC1-7):H03K17/10 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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