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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Schichten auf basis von Siliziumdioxyd mittels DC Sputtern und Target dafür
摘要
申请公布号 DE69027590(D1) 申请公布日期 1996.08.01
申请号 DE19906027590 申请日期 1990.08.01
申请人 ASAHI GLASS CO. LTD., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ANDO, EIICHI 2617-120, IMAJUKU-CHO ASAHI-KU, KANAGAWA 241, JP;MITSUI, AKIRA 1-1, KASHIWA-CHO ASAHI-KU, KANAGAWA 241, JP;EBISAWA, JUNICHI, TOKYO 145, JP;SUZUKI, KOICHI 4-6-502, WAKABADAI ASAHI-KU, KANAGAWA 241, JP;MATSUMOTO, KIYOSHI, TOKYO 113, JP;OYAMA, TAKUJI 350-38, HAZAWA-CHO KANAGAWA-KU, KANAGAWA 221, JP
分类号 B32B17/10;C03C17/245;C03C17/34;C03C27/12;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/34;G02F1/1333;G02F1/1335;(IPC1-7):C23C14/10;C03C3/06 主分类号 B32B17/10
代理机构 代理人
主权项
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