| 主权项 |
1.一种光记录媒体,其基板上至少顺序的积层有第1介质体层,连接记录层之第1境界层,和记录层,经由以光照射在该记录层可以用来进行资讯之记录,抹除,和再生,利用该记录层中之非晶相和结晶相之间之可逆相变化用来进行资讯之记录和抹除;其特征是上述之第1境界层从(1)元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素(碳除外)之氧化物,(2)元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素(碳除外)之碳化物,(3)元素周期表中之第2周期至第6期之3A族至6B族之元素(碳除外)之氮化物;和(4)碳或碳和氧和/或氮之化合物之中选择至少1种作为主要成分,和该记录层以下列之式(I)之成分构成{Ge0.5Te0.5)x(Sb 0.4Te0.6)1-x}1-y-z SbyAz (I)(式中,A表示Ge, Sb和Te以外之选自元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素,和x、y、z可以满足下列之关系:0.2≦x≦0.8,0.01≦y≦0.08,z=0或是0.2≦x≦0.8,0≦y≦0.08,0<z≦0.2)。2.一种光记录媒体,其基板上至少顺序的积层有第1介质体层,记录层,和连接记录层之第2境界层,经由以光照射在该记录层可以用来进行之记录,抹除,和再生,利用该记录层中之非晶相和结晶相之间来进可逆相变化用之行资讯之记录和抹除;其特征是该第1境界层和该第2层界层从(1)元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素(碳除外)之氧化物,(2)元素周期表中之第2周期至第6周期之3A至6B族之元素(碳除外)之碳化物,(3)元素周期表中之第2周期至第6周之3A族至6B族之元素(碳除外)之氮化物;和(4)碳或碳和氧和/或氮之化合物之中选择至少1种作为主要成分,和该记录层以下列之式(II)之成分构成,{Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-z SbyAz (II)(式中,A表示Ge, Sb和Te以外之选自元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素,和x、y、z可以满足下列之关系:0.2≦x≦0.95,0.01≦y≦0.08,z=0或是0.2≦x≦0.95,0≦y≦0.08,0<z≦0.2)。3.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素是选自铝,矽,钛,铬,锗和锆之元素。4.如申请专利范围第3项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以选自氧化铝,碳化矽,氮化钛,氮化铬和氮化锗者作为主要成分。5.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以碳作为主要成分。6.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以氧化铝作为主要成分,和其成分为A12O3-p (III)(0<p≦2.0)。7.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以碳化矽作为主要成分,和其成分为SiCq (IV)(0.3<q<1)。8.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以氮化矽作为主要成分,和其成分为TiNr (V)(0.5<r<1)。9.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以氮化铭作为主要成分,和其成分为CrNs (VI)(0.8<s<1)10.如申请专利范围第4项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层以氮化锗作为主要成分,和其成分为GeNt (VII)(0.2<t<1)11.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该元素周期表中之第2周期至第6期周期之3A族至6B族之元素(碳除外)之氧化物,碳化物或氮化物中之氧含有量,碳含有量或氮含有量少于化学计量化。12.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该第1境界层和/或第2境界层之成分不均一,而且元素周期表中之第2周期至第6周期之3A族至6B族之元素之浓度,在接近记录层侧变成较高。13.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该第1境界层之厚度为0.5~10nm。14.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该第1境界层以碳作为主要成分,和其厚度为0.5nm以上,4nm以下。15.如申请专利范围第2项之光记录媒体,其中该第2境界层之厚度为0.5~40nm。16.如申请专利范围第2项之光记录媒体,其中该第2境界层以碳作为主要成分,和其厚度为0.5nm以上,4nm以下。17.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中该第1介质体层至少包含有ZnS和SiO2。18.如申请专利范围第2项之光记录媒体,其中更设有反射层。19.如申请专利范围第1或2项之光记录媒体,其中用在5m/s以上之线速度之最短标记长度为0.7m以下之标记长度记录。图式简单说明:第一图是利用欧格(Auger)电子分光法测定No.A试科{Ge-SB-Te(记录层:7nm)/C(第1境界层:2nm)/ZnS-SiO2(第1保护层:93nm/基板}所获得之深度型样图。第二图是利用欧格电子分光法测定No.B试料{Ge-Sb-Te(记录层:7nm)/C(第1境界层:5nm)/ZnS-SiO2(第1保护层:93nm)/基板}所获得之深度型样图。第三图是No.A试料之碳之KLL欧格电子频谱图。第四图是No.B试料之碳之KLL欧格电子频谱图。第五图是分解图,将第一图之碳之深度型样之频谱分解成为来自Ge-Sb-Te层和碳层之境界之频谱,来自碳层之厚度方向之中央之频谱,和来自碳层和ZnS-SiO2层之境界之频谱之3个成分。第六图是分解图,将第二图之碳之深度型样之频谱分解成为来自Ge-Sb-Te层和碳层之境界之频率,来自碳层之厚度方向之中央之频谱,和来自碳层和ZnS-SiO2层之境界之频谱之3个成分。 |
