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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Cobaltsilicidschicht in einem Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE3231987(C2) 申请公布日期 1996.08.01
申请号 DE19823231987 申请日期 1982.08.27
申请人 AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US 发明人 LEVINSTEIN, HYMAN JOSEPH, BERKELEY HEIGHTS, N.J., US;MURARKA, SHYAM PRASAD, MURRAY HILL, N.J., US;SINHA, ASHOK KUMAR, MURRAY HILL, N.J., US
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/768;H01L21/316;H01L21/310;H01L21/320 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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