半导体器件及其形成方法

摘要

薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一玻璃衬底，有彼此对置的上表面和下表面；一第一阻挡层，在衬底的所述上表面上形成；一绝缘栅场效应晶体管，在衬底的所述上表面上形成，衬底和所述上表面间插置以所述第一阻挡层；其中衬底的所述下表面敷有第二阻挡层，第一和第二阻挡层包括选自由氧化铝和氮化铝组成的组合的一种材料。