| 发明名称 | 表面波元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 铝电极膜在钟形罩内的表面波元件基片上形成，并在铝电极膜形成后通过向钟形罩充入氮气或氧气的方法覆盖氮化膜(铝氮化膜)或氧化膜(氧化铝膜)以作为绝缘膜，绝缘膜可以消除由于金属罩背面上的涂层剥落和金属罩与基座焊接造成的金属颗粒的有害影响。这样就减少了绝缘电阻的损失并避免了在切割过程中的电极腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1127955A | 申请公布日期 | 1996.07.31 |
| 申请号 | CN95115223.8 | 申请日期 | 1995.07.19 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 门田道雄;米田年麿 |
| 分类号 | H03H9/25;H03H3/08 | 主分类号 | H03H9/25 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴大建 |
| 主权项 | 1.表面波元件的制造方法包括以下步骤：在钟形罩内的表面波元件基片上形成铝电极膜；向钟形罩内充入氮气或氧气，用氮气或氧气在已形成的铝电极膜上形成氮化膜或氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||