| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之单晶膜之形成方法,其中原子束、分子束或化学束系以不超过25度的入射角导入。3.如申请专利范围第1项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第V族元素所构成的原子束、含周期表中第V族元素的分子束或化学束以不超过40度的入射角导引至单晶基片的表面上,及将由周期表中第III族元素所构成的原子束、含周期表中第III族元素的分子束或化学束以任一角度导引至单晶基片的表面上,而因此在基片的暴露表面上选择地及外延地生长第III-V族半导体化合物所制成的单晶膜。4.如申请专利范围第3项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第V族元素所构成的原子束、含周期表中第V族元素的分子束或化学束以不超过25度的入射角导入。5.如申请专利范围第1项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第III族元素所构成的原子束、含周期表中第III族元素的分子或化学束以不超过40度的入射角导引至单晶基片的表面上,及将由周期表中第V族元素所构成的原子束、含周期表中第V族元素的分子束或化学束以任一角度导引至单晶基片的表面上,而因此在基片的暴露表面上选择地及外延地在长第III-V族半导体化合物所制成的单晶膜。6.如申请专利范围第5项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第III族元素所构成的原子束、含周期表中第III族元素的分子束或化学束以不超过25度的入射角导入。7.如申请专利范围第1项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第VI族元素所构成的原子束、含周期表中第VI族元素的分子束或化学束以不超过40度的入射角导引至单晶基片的表面上,及将由周期表中第II族元素所构成的原子束、含周期表中第II族元素的分子束或化学束以任一角度导引至单晶基片的表面上,而因此在基片的暴露表面上选择地及外延地生长第II-VI族半导体化合物所制成的单晶膜。8.如申请专利范围第7项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第VI族元素所构成的原子束、含周期表中第VI族元素的分子束或化学束以不超过25度的入射角导入。9.如申请专利范围第1项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第II族元素所构成的原子束、含周期表中第II族元素的分子束或化学束以不超过40度的入射角导引至单晶基片的表面上,及将由周期表中第VI族元素所构成的原子束、含周期表中第VI族元素的分子束或化学束以任一角度导引至单晶基片的表面上,而因此在基片的暴露表面上选择地及外延地生长第II-VI族半导体化合物所制成的单晶膜。10.如申请专利范围第9项之单晶膜之形成方法,其中将由周期表中第II族元素所构成的原子束、含周期表中第II族元素的分子束或化学束以不超过25度的入射角导入。11.如申请专利范围第1至10项中任一项之单晶膜之形成方法,其中开口具为具有线型且具有0.001m至10m的宽度。12.如申请专利范围第1至10项中任一项之单晶膜之形成方法,其中非晶质膜系由绝缘材料或高熔点金属所制成。13.如申请专利范围第1至10项中任一项之单晶膜之形成方法,其中单晶膜系外延地生长,由在基材暴露表面上选择地且外延地生长之当作晶种的单晶膜起,以平行于非晶质膜上的基材表面之横向外延地生长。14.如申请专利范围第13项之单晶膜之形成方法,其中非晶质膜上所形成的单晶膜系具有不超过104/cm2的位错密度。15.如申请专利范围第14项之单晶膜之形成方法,其中单晶基片的晶格常数系与单晶膜者互相不同。16.如申请专利范围第15项之单晶膜之形成方法,其中单晶基片与单晶膜之晶格常数的差异系0.1%至30%。图式简单说明:第1图系一说明本发明之单晶膜形成方法的概念图。第2图系一说明第1图所示生长后下一生长步骤的概念图。第3图系一说明第2图所示生长后之步骤的概念图。 |
