| 发明名称 | 锑化铟薄膜的镀层结构 | ||
| 摘要 | 一种锑化铟薄膜的镀层结构是在具有隔离层的基底上，从内至外依次镀In层、InSb+Sb层和In层，具有这种镀层结构的薄膜经结晶化转化后可以制出高电子迁移率的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用性。 | ||
| 申请公布号 | CN2232161Y | 申请公布日期 | 1996.07.31 |
| 申请号 | CN95231684.6 | 申请日期 | 1995.07.13 |
| 申请人 | 机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所 | 发明人 | 于成民;刘佩瑶;孙仁涛;冯桂华;王晓雯;关杰;曾永宁;王晶 |
| 分类号 | H01L43/02 | 主分类号 | H01L43/02 |
| 代理机构 | 沈阳杰克专利事务所 | 代理人 | 杨光 |
| 主权项 | 1、一种锑化铟薄膜的镀层结构，其特征在于在具有隔离层(2)的基底(1)上，从内至外依次镀In层(3)、InSb＋Sb层(4)和In层(5)。 | ||
| 地址 | 110043辽宁省沈阳市大东区北海街242号 | ||