发明名称 Oxide etch process with high selectivity to nitride suitable for use on surfaces of uneven topography.
摘要
申请公布号 EP0651434(A3) 申请公布日期 1996.07.31
申请号 EP19940117087 申请日期 1994.10.28
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 YANG, CHAN LON;MARKS, JEFFREY;BRIGHT, NICOLAS;COLLINS, KENNETH S.;GROECHEL, DAVID;KESWICK, PETER
分类号 H01L21/302;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/318;(IPC1-7):H01L21/311 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
地址