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发明名称
Oxide etch process with high selectivity to nitride suitable for use on surfaces of uneven topography.
摘要
申请公布号
EP0651434(A3)
申请公布日期
1996.07.31
申请号
EP19940117087
申请日期
1994.10.28
申请人
APPLIED MATERIALS, INC.
发明人
YANG, CHAN LON;MARKS, JEFFREY;BRIGHT, NICOLAS;COLLINS, KENNETH S.;GROECHEL, DAVID;KESWICK, PETER
分类号
H01L21/302;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/318;(IPC1-7):H01L21/311
主分类号
H01L21/302
代理机构
代理人
主权项
地址
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