遮罩设计时之基体构形补偿:锚定的3D OPC构形

摘要

一种半导体制造方法，其为各微影层分析三维的构形变化，并决定临界尺寸(CD)偏差补偿，作为遮罩布局产生的输入。利用已知的图案密度及特定图案的化学机械研磨(CMP)平面化长度特性，在晶粒层进行特定遮罩之构形变化的精确预测。藉由焦点之临界尺寸(CD)的人为扩大损耗，可决定失焦与遮罩偏差之光阻响应的完整特性。对于所有线路与空间之焦点的延伸范围的遮罩补偿系保持于规格之内。获取3D遮罩密度资料，以决定晶粒中各图素位置的高度部分。而后将所产生之3DOPC模型用于遮罩制造。