发明名称 填补凹槽的方法
摘要 本发明系有关一种可减少粒子缺陷之填补浅沟渠隔离凹槽的方法,该方法包括:首先,以慢速度沈积氧化层,并提供第一偏压电源与第一源压电源;接着,停止供应沈积用的反应气体至反应室中,并提供转换步骤偏压电源与转换步骤源压电源,其转换步骤偏压电源介于第一偏压电源与第二偏压电源之间,转换步骤源压电源介于第一源压电源与第二源压电源之间;最后,以快速度沈积氧化层,并提供第二偏压电源与第二源压电源。
申请公布号 TW200423289 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092109414 申请日期 2003.04.22
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 林经祥;刘婉懿;廖振伟
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号