发明名称 | 填补凹槽的方法 | ||
摘要 | 本发明系有关一种可减少粒子缺陷之填补浅沟渠隔离凹槽的方法,该方法包括:首先,以慢速度沈积氧化层,并提供第一偏压电源与第一源压电源;接着,停止供应沈积用的反应气体至反应室中,并提供转换步骤偏压电源与转换步骤源压电源,其转换步骤偏压电源介于第一偏压电源与第二偏压电源之间,转换步骤源压电源介于第一源压电源与第二源压电源之间;最后,以快速度沈积氧化层,并提供第二偏压电源与第二源压电源。 | ||
申请公布号 | TW200423289 | 申请公布日期 | 2004.11.01 |
申请号 | TW092109414 | 申请日期 | 2003.04.22 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林经祥;刘婉懿;廖振伟 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |