双载子电晶体结构与使用浅隔离延伸以减少寄生电容之方法

摘要

一种双载子垂直电晶体形成于一具有一上层表面且具有STI区之矽半导体基材中，该STI区形成于具有内部终端及顶部表面之该基材中。一掺杂的集极区形成于该基材中一对STI区之间。一逆掺杂本质基极区形成于该基材之上层表面上且于该对STI区之间，且该本质基极区与该对STI区之间具有一空间，该本质基极区具有边缘。一掺杂射极区形成于该本质基极区上并与该边缘保持距离。由一介电质材料组成的一浅隔离延伸区紧邻该本质基极区的边缘，并形成于该STI区与该本质基极区之间的空间中。一外质基极区覆盖该浅隔离延伸区，并部分延伸至该本质基极区上并与其有机械及电性上之接触，藉以该浅隔离延伸区可减少该双载子电晶体的基极至集极寄生电容。