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<P>Une telle mémoire comprend deux éléments de mémoire (200, 210), deux conducteurs de transmission de bits (235, 265) couplés aux premiers côtés des éléments de mémoire, un troisième conducteur de transmission de bits (270) couplé aux éléments de mémoire pour commander une tension de fonctionnement, et un circuit de commande (275) pour produire dans l'élément de mémoire (200) une tension inférieure à la tension de fonctionnement, et dans le second conducteur (265) une seconde tension inférieure à la tension de fonctionnement lors de la mémorisation d'un niveau logique bas sur le second côté de l'élément de mémoire (200), et produire la première tension aux bornes des deux éléments de mémoire lors de la mémorisation d'un niveau bas sur le second côté de l'élément de mémoire (210).<BR/>Application aux mémoires statiques à accès direct.</P>
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