| 发明名称 |
A METHOD OF PRODUCING AN OHMIC CONTACT AND A SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH SUCH OHMIC CONTACT |
| 摘要 |
Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un contact ohmique (5) pour une couche .alpha.-SiC de type p (3b) dans un dispositif à semiconducteur (1). Des couches d'aluminium, de titane et de silicium sont déposées sur ladite couche .alpha.-SiC (3b). Les couches déposées (5) sont ensuite soumises à un recuit afin qu'elles (5) soient, au moins en partie, converties en siliciure d'aluminium et de titane.
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| 申请公布号 |
CA2210222(A1) |
申请公布日期 |
1996.07.25 |
| 申请号 |
CA19962210222 |
申请日期 |
1996.01.17 |
| 申请人 |
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON |
发明人 |
KRONLUND, BERTIL KARL |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/04;H01L21/203;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/45 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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