功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法

摘要

一种制造功率MOSFET的方法，该方法包括：在半导体层内制作一个沟槽，制作用于排列沟槽的栅极绝缘层，在沟槽的下部制作一个栅极导电层，然后制作用于填充沟槽之上部的绝缘层。去除绝缘层侧面附近的半导体层部分，从而其上部从半导体层向外延伸。在向外延伸的绝缘层上部的侧面附近制作隔层，使用隔层作为用于限定源/体接触区域的自对准掩模。

主权项

1.一种形成MOSFET的方法，包括：在半导体层中形成一个沟槽；形成衬在该沟槽上的栅极介电层；在沟槽的下部形成一个栅极导电层；形成用于填充沟槽的上部的一个介电层；去除与介电层横向相邻的半导体层部分，从而使其上部从半导体层向外延伸，并且介电层向外延伸的上部的侧壁与沟槽的侧壁对准；在半导体层中邻近向外延伸的介电层形成源区域；形成与介电层向外延伸的上部横向相邻的隔层；使用该隔层作为限定源/体接触区域的自对准掩模；去除该隔层；在源区域和介电层上形成源电极；以及在源电极和源/体接触区域之间形成至少一个导电通路。