| 主权项 |
1.一种多晶矽薄膜之制作方法,其步骤包含: 提供一基板; 形成一吸热层于该基板上; 形成一绝缘层于该吸热层上; 形成一非晶矽薄膜于该绝缘层上; 形成一规则排列之导热层于该非晶矽薄膜上;及 藉由退火热处理,使该非晶矽薄膜以该导热层为中 心再结晶向外成长,而形成一具均匀性之多晶矽薄 膜。 2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该基板系选自玻璃基板、绝缘基板或半 导体基板。 3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该吸热层系氮氧化矽(SiON)。 4.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该绝缘层系氧化矽(SiOx)。 5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该导热层系金属。 6.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该退火热处理系选自准分子雷射退火或 高温炉退火。 7.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该形成该多晶矽薄膜之步骤之后,更包 含一去除该导热层之步骤。 8.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该去除该导热层之步骤之后,更包含一 退火热处理之步骤,用以改善该多晶矽薄膜之晶界 突起,并进一步诱使被该导热层所覆盖之该非晶矽 薄膜结晶为该多晶矽薄膜。 9.如申请专利范围第8项所述之多晶矽薄膜之制作 方法,其中该退火热处理系选自准分子雷射退火或 高温炉退火。 图式简单说明: 第1A-1C图系习知技术之多晶矽薄膜之制作流程示 意图; 第2图系习知技术之多晶矽薄膜之构造示意图; 第3A~3D图系习知技术之多晶矽薄膜之制作流程示 意图; 第4图系本发明所提供之多晶矽薄膜之制作方法的 流程图; 第5A~5H图为本发明之实施例所提供之多晶矽薄膜 之制作方法之流程剖面图;及 第6A~6C图为本发明之实施例所提供之多晶矽薄膜 之制作方法之流程上视图。 |
