| 主权项 |
1.一种用于处理有机或无机物料的基质表面之方 法,其中反应性碎片-特别是自由基或离子系由经 配置在特定距离远作为放电灯之至少一个紫外线 辐射器所产生之紫外线辐射予以产生,此辐射器具 有经气体填充之伸长形放电室其壁系由介电体所 形成,将至少一个电极设置在面对远离放电室之( 辐射器之)面上,其特征为:在辐射期间,平移及/或 旋转式相对移动发生在基质与至少一个紫外线辐 射器间,且其中至少一个紫外线辐射器系被移动。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为:关于形 成自由基,将氧、氨、氯、氟、氢氯酸、氢氟酸、 氢、氧化亚氮及/或矽烷化合物的分子使用紫外光 照射。 3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其特征为:将 各种分子用波长在60nm至350nm间之紫外线辐射照射 以便形成自由基。 4.如申请专利范围第3项之方法,其特征为:将各种 分子用波长为172nm之准分子雷射辐射照射。 5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该紫外 线辐射器系一种放电灯,其具有界定一放电室之介 电物料的管状灯,在面对远离放电室之其表面上, 经由一种绝缘材料予以相互电绝缘之至少一个电 极对正进行表面一对一表面接触,该灯管系经由一 个包封管环绕而形成一环状间隙环绕着放电室,灯 管之内部藉绝缘材料予以分成相互绝缘之各个分 开室其中配置有电极。 6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该紫外 线辐射器系由在一面上所冷却之金属电极所界定 之放电室及介电体所组成及用一种惰性气体或气 体混合物填充,同时该介电体及位于面对远离放电 室之介电体表面上之其他电极对于经由无声放电 所产生之辐射呈透明。 7.如申请专利范围第1项之方法,其特征为:处理系 在常压条件和大气压力下予以实施。 8.如申请专利范围第1项之方法,其特征为:处理系 在减压下或在真空中在反应器中予以实施。 9.如申请专利范围第1项之方法,其特征为:将放电 灯沿着垂直或平行于其管状放电室之纵轴之一途 径相对于基质而移动。 10.如申请专利范围第1项之方法,其特征为:将放电 灯环绕其放电室之纵轴相对于基质而旋转移动。 11.一种用于经由紫外线辐射来处理有机或无机物 料的基质表面之装置,此紫外线辐射系经由经配置 在特定距离远作为放电灯之至少一个紫外线辐射 器所产生;此辐射器具有经气体填充之伸长形放电 室其壁系由介电体所形成,将至少一个电极设置在 面对远离放电室之面上,其特征为:将至少一个紫 外线辐射器(4)配置在照射单元(5)中,该装置具有至 少一个位移元件以便在基质(1,1')与照射单元(5)间 相对平移移动,且其中该照射单元(5)系被移动。 12.如申请专利范围第11项之装置,其特征为:将位移 元件连接至一可控制之驱动马达上。 13.一种用于经由紫外线辐射来处理有机或无机物 料的基质表面之装置,此紫外线辐射系经由经配置 在特定距离远作为放电灯之至少一个紫外线辐射 器所产生;此辐射器具有经气体填充之伸长形放电 室其壁系由介电体所形成,将至少一个电极设置在 面对远离放电室之面上,其特征为:将至少一个紫 外线辐射器(4)配置在照射单元(5)中,该装置具有至 少一个旋转元件以便在基质(1")与照射单元(5)间相 对旋转移动,且其中该照射单元(5)系被移动。 14.如申请专利范围第12项之装置,其特征为:将旋转 元件连接至一可控制之驱动马达上。 图式简单说明: 图1显示具有经配置在其上之紫外线辐射器之经平 移驱动辐射单元的示意纵截面(系越过紫外线辐射 器的纵轴所取),将它配置在经容纳在固定支架中 之基质上方一段特定距离处。 图2示意显示:适合平移所配置之基质连同固定式 辐射单元其中配置一固定式紫外线辐射器(系越过 紫外线辐射器纵轴之截面)。 图3a示意显示:具有在旋转框架中之基质的装置,其 中基质表面经由放电灯(例如来自辐射单元之紫外 线辐射器)予以照射。 图3b示意显示:通过图3a之纵截面,显示:辐射器位于 基质表面上方特定距离处。 |
