发明名称 半导体装置及其制造方法,存储器心部及外围电路芯片
摘要 本发明的半导体装置包括多个电路块,该多个电路块包括一个第一电路块和一个第二电路块,该第一电路块的一个块参数与该第二电路块的一个块参数不同。在该半导体装置中,该第一电路块是形成在第一半导体芯片上的,而该第二电路块是形成在第二半导体芯片上的并与该第一电路块电连接。
申请公布号 CN1127428A 申请公布日期 1996.07.24
申请号 CN95117959.4 申请日期 1995.10.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 森俊树;中尾一郎;藤田勉;濑川礼二
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 蹇炜
主权项 1、一种半导体装置,包括多个电路块,该多个电路块包含有一个第一电路块及一个第二电路块,该第一电路块的一个块参数与该第二电路块的一个块参数不同。其中该第一电路块形成在第一半导体芯片上,而该第二电路块形成在一个第二半导体芯片上且与该第一电路块电连接。
地址 日本大阪