| 主权项 |
1.一种肖特基二极体,其具有一经调整之障蔽高度,包含有:一由N-矽构成之基材,其具有一肖特基接触表面区;一矽化钛肖特基接触层,与该接触表面接触;以及一低剂量硼植入物,位在该矽化钛层的下方,用以至少部分地反相掺杂该N-矽于该矽化钛层下方,其中该硼植入物系在一低能量下植入该矽化钛接触层,并扩散至该矽中,因此不会形成pn接面且硼尖峰浓度系位于该矽化钛层中。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该二极体为一平面二极体且该接触表面区延伸跨越该二极体之整个活化表面。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该二极体为一种渠沟装置且该接触表面区为在该矽中所形成之两相邻泣渠沟之间所形成之矽平台上之表面。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该硼植入物之剂量为低于约1E12原子╱公分2。5.一种用以形成一肖特基障蔽二极体之方法,其包含下列步骤:在一矽基材表面上沈积一钛层而在该钛层与矽基材之间形成一界面;将该矽基材加热至一反应温度,以使得该钛不会形成显着的氧化现象,而一矽化钛层会在矽中邻近该界面处形成;蚀刻该钛层以移除该矽化钛层之外的钛;使用低能量以于该矽化钛层中植入一植入物物种,以使得一硼尖峰浓度系位于该矽化钛层中;且藉着将该系基材加热至一退火温度,而将该植入物种类从该矽化钛层驱入至该位于该矽化钛层之下的矽层,因此在该矽化钛层之下的该矽基材层的一部份系在不于矽基材中形成pn接面的情况下,被该植入物种类反向掺杂。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该植入物物种为硼。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该植入步骤使用一少于91013cm-2的植入物物种剂量。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该植入步骤使用一少于91013cm-2的植入物物种剂量。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该加热步骤会形成具有一低于约1000之厚度的矽化钛层。10.如申请专利范围第6项之方法,其中该加热步骤会形成具有一低于约1000之厚度的矽化钛层。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该植入步骤系在约10keV之低加速能量下执行。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该植入步骤系在约10keV之低加速能量下执行,以使得该硼系被植入于该矽化钛层内,以避免在该矽化钛层之下该矽基材的损伤。图式简单说明:第1图为一平面元件之矽模板之顶表面的剖面图,在形成场氧化物(field oxide)、P+保护环以及蚀刻以开启活性区之后。第2图为在钛-溅散步骤之后第1图之剖面图。第3图为在热退火之后第2图之剖面图。第4图为在钛蚀刻以移除金属矽化物并曝露活性区中之矽化钛障蔽层之后第3图之剖面图。第5图为第4图之剖面图,显示有一硼植入物穿过TiSi2层。第6图为在快速热退火以推动及活化硼植入物之后第5图之剖面图。第7图显示本发明之第二实施例,并显示多数平行渠沟中的两个的剖面图,在渠沟形成之后,且在钛溅散步骤之后,在渠沟中填入氧化物内衬及聚合矽。第8图为在快速热退火以形成矽化钛之后第7图之剖面图。第9图为在钛蚀刻之后第8图之剖面图。第10图为第9图之剖面图,显示一硼植入物。第11图为在第二快速热退火之后第10图之剖面图。第12A、12B及12C图显示硼植入物对于第1至6图之平面构造之功效。第13A及13B图显示在分别植入及驱入两种剂量9E12及9E13原子╱公分2之后,经计算之硼轮廓。 |
