发明名称 包括自我组装单层之电子装置,以及制造该装置之方法
摘要 本发明揭示一种电子装置,其包括一源极及一汲极、置放成邻近于该源极区域及该汲极区域的一自我组装单层,该自我组装单层包括至少一共轭分子、及置放成邻近于该自我组装单层的一导电基板。
申请公布号 TWI269350 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW093105915 申请日期 2004.03.05
申请人 万国商业机器公司 发明人 崔利 瑞内 卡根;理查 玛泰尔
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种电子装置,其包括:一源极区域及一汲极区域;一自我组装单层,其系置放成邻近于该源极区域及该汲极区域,该自我组装单层包括至少一共轭分子;以及一导电基板,其系邻近于该自我组装单层。2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该导电基板包括一金属基板。3.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该自我组装单层包括一通道层,以及其中注入该自我组装单层的载子系沿由该自我组装单层置放的一平面传播。4.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该自我组装单层进一步包括一功能群组,其帮助采用一定序方式组装该基板上的该自我组装单层中的分子。5.如申请专利范围第1项之电子装置,其进一步包括:一闸极电极,其系邻近于该自我组装单层。6.如申请专利范围第5项之电子装置,其中该闸极电极包括与该基板相同的一层,以及其中该基板组装该自我组装单层,并控制该自我组装单层之一静电功能。7.如申请专利范围第6项之电子装置,其中该闸极电极及该基板之至少之一者系与该自我组装单层电性隔离。8.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该至少一共轭分子包括复数个分子,其系选择以增加该自我组装单层中的分子之间的一重叠。9.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该等复数个分子系对准并封装在一起以形成一二维膜。10.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该自我组装单层进一步包括一功能群组,其用以减小该自我组装单层之一电子系统与一邻近导电层之间的电性传导。11.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该自我组装单层进一步包括一功能群组,其藉由该等源极及汲极区域提供一电性接点至该自我组装单层。12.如申请专利范围第11项之电子装置,其中该自我组装单层包括一活动层,其负责在与一绝缘体的该介面处进行电流调变及电荷传输。13.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该自我组装单层进一步包括用以附于该基板的一第一功能群组。14.如申请专利范围第13项之电子装置,其中该自我组装单层进一步包括一第二功能群组,其增加该自我组装单层与一邻近层之间的一电性隔离。15.如申请专利范围第14项之电子装置,其中该等第一及第二功能群组包括氧化磷、亚磷酸盐、磷酸盐、膦、叠氮化物、联氨、磺酸、硫化物、二硫化物、乙醛、酮、矽烷、氢化锗、胂、、异、异氰酸盐、硫氰酸盐、异硫氰酸盐、氨基化合物、醇、硒醇、硝基、硼酸、醚、硫醚、氨基甲酸盐、硫代氨基甲酸盐、二硫代氨基甲酸盐、二硫代羧酸盐、黄酸盐、硫代黄酸盐、烷基硫代磷酸盐、二烷基二硫代磷酸盐、磷酸、羟氨酸之至少之一者以及该等群组之任一组合。16.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置包括一场效电晶体。17.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该等源极及汲极区域之各个包括一金属接点。18.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该等源极及汲极区域系置放在该自我组装单层之一顶部表面上。19.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该导电基板系置放在该自我组装单层之一顶部表面上。20.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该等源极及汲极区域系各置放在该自我组装单层之一侧面上。21.如申请专利范围第20项之电子装置,其中该导电基板系置放在该自我组装单层之一顶部表面上。22.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该等源极及汲极区域之一者系置放在该自我组装单层之一侧面上,而该等源极及汲极区域之另一者系置放在该自我组装单层之一顶部上。23.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该等源极及汲极区域之一者系置放在该自我组装单层之一底部及侧面上,而该等源极及汲极区域之另一者系置放在该自我组装单层之一顶部及侧面上。24.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该至少一共轭分子包括一低苯基乙炔、一多并苯、一低唑、一亚苯基、一低亚苯基聚乙烯基及一衍生物或其任一组合。25.一种制造一电子装置之方法,其包括:形成一源极区域及一汲极区域;形成邻近于该源极区域及该汲极区域的一自我组装单层,该自我组装单层包括至少一共轭分子;以及形成邻近于该自我组装单层的一导电基板。图式简单说明:图1A解说一分子层10,而图1B至图1D解说装置150、160、170,该等装置具有不带一邻近导电基板的分子层;图2解说邻近于一金属基板的一分子层100之一范例;图3解说邻近于一金基板的一分子层300之一特定范例;图4解说具有依据本发明之二顶部接点的一电子装置450;图5解说具有依据本发明之侧面接点的一电子装置550;图6解说具有依据本发明之一侧面接点及一顶部接点的一电子装置650;图7解说具有依据本发明之二顶部接点及一顶部金属基板的一电子装置750;图8解说具有依据本发明之一顶部金属基板及二侧面接点的一电子装置850;图9解说具有依据本发明之一侧面/底部接点及一顶部/侧面接点的一电子装置950;图10A至图10C解说一共轭分子1010可如何采用依据本发明之一头端群组1011、一尾端群组1012及绝缘群组1013、1014加以功能化;以及图11解说制造依据本发明之一电子装置的一方法1100。
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