| 发明名称 | 蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物，例如含有金属铪的硅酸盐(101a)，在将硅酸盐(101a)氧化后，对被氧化的硅酸盐(101a)进行湿蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1314084C | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN03800972.2 | 申请日期 | 2003.06.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤井真治 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);C23F1/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种蚀刻方法，其特征在于：包括：氧化形成在衬底表面上的、至少包含金属及硅的氧化不充分的化合物的第1工序、及通过湿蚀刻除去被氧化的前述化合物的第2工序；前述第1工序包括在含有氧的气氛中对前述化合物照射紫外线而使该化合物的组成接近于金属氧化物的化学计量组成的工序，并且，前述化合物是硅酸盐化合物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||