| 发明名称 |
Gain stability arrangement for HV mosfet power amplifier |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IL117566(D0) |
申请公布日期 |
1996.07.23 |
| 申请号 |
IL19960117566 |
申请日期 |
1996.03.20 |
| 申请人 |
ENI, A DIVISION OF ASTEC AMERICA, INC. |
发明人 |
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| 分类号 |
H03F1/30;H03F1/02;H03F3/26;H03F3/60;(IPC1-7):H03F |
主分类号 |
H03F1/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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