| 主权项 |
1.一种具有复数发光单元之发光装置,包含: 具有比35W/mK更高之导热性的导热基板,其中35W/mK为 蓝宝石基板之导热性; 于该导热基板上互相串联的复数发光单元;以及 介于该导热基板以及该些发光单元之间的半绝缘 缓冲层。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该导热基板为 半绝缘或N型SiC基板。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该半绝缘缓冲 层系由未掺杂之AlN所形成。 4.如申请专利范围第2项之装置,其中该半绝缘缓冲 层系由半绝缘GaN所形成。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中该半绝缘GaN为 以受体掺杂之GaN。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该受体为铁(Fe )。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中该些发光单元 之每一个包含N型半导体层、主动层以及P型半导 体层,且相邻之发光单元的N型半导体层以及P型半 导体层藉由金属线电性串联。 8.一种具有复数发光单元之发光装置,包含: 具有离子布植的半绝缘SiC层在其表面上的SiC基板; 以及 于该半绝缘SiC层上互相串联的复数发光单元。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中该些发光单元 之每一个包含N型半导体层、主动层以及P型半导 体层,且相邻之发光单元的N型半导体层以及P型半 导体层藉由金属线电性串联。 10.一种制造发光装置之方法,包含: 备置导热基板,其具有比35W/mK更高之导热性,其中35 W/mK为蓝宝石基板之导热性; 形成半绝缘缓冲层于该导热基板上; 形成N型半导体层、主动层以及P型半导体层于该 半绝缘缓冲层上; 图案化该P型半导体层、该主动层以及该N型半导 体层以形成复数发光单元,该些发光单元的每一个 具有部分暴露之N型半导体层;以及 形成金属线,以串联该些发光单元,使该些发光单 元的每一个的N型半导体层连接至与其邻接之发光 单元的P型半导体层。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该导热基板 为半绝缘或N型SiC基板。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该半绝缘缓 冲层系由未掺杂之AlN所形成。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该半绝缘缓 冲层系由半绝缘GaN所形成。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该半绝缘GaN 为以受体掺杂之GaN。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该受体系使 用离子布植技术掺杂。 图式简单说明: 第1图为描述根据本发明一实施例之具有复数发光 单元的发光装置的剖面图。 第2图为描述根据本发明一实施例之包含桥式整流 器的发光装置之电路图。 第3至7图为描述根据本发明一实施例的具有复数 发光单元的发光装置之制造方法的剖面图。 |
