去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法

摘要

本发明系关于一种去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法，尤指一种针对一般半导体乾蚀刻完成后表面附着微粒而影响后续乾蚀刻完整性之问题下，为提供一种可在乾蚀刻完成而未立即进行去除光阻之制程期间，另加入一道氧电浆处理步骤及一道离子水去除微粒之步骤，可藉该施加之氧电浆步骤，使附着之微粒的附着力降低，再以该离子水清除该等微粒，而达到有效去除表面微粒子之效果，据以可使后续蚀刻步骤不致受到微粒影响而衍生蚀刻缺陷者。

主权项

1. 一种去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,为应用于SRAM埋层接触区之制程,包括:一对于一含有闸氧化层、复晶矽层之基底表面进行埋层接触区光罩之步骤;一复晶矽蚀刻之步骤;一埋层接触区离子布植,以在基底内形成埋层接触区之步骤;一氧电浆处理,以降低光阻微粒附着力之步骤;一离子水清洗,以去除光阻微粒之步骤;一埋层接触区闸氧化层蚀刻之步骤;及一去除光阻之步骤;形成一种可在第二次蚀刻之前去除大部份光阻微粒,以降低元件缺陷者。2. 如申请专利范围第1项所述之去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,其中该复晶矽蚀刻步骤为使用乾式蚀刻方式进行者。3. 一种去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,为应用于EPROM之制程,包括:一对于一含有第二复晶矽、绝缘层之基底表面实施第二复晶矽光罩之步骤;一对第二复晶矽层上方之绝缘层蚀刻之步骤;一氧电浆处理,以降低位在第二复晶矽层上方之光阻微粒附着力之步骤;一离子水清洗,以去除光阻微粒之步骤;一第二复晶矽蚀刻之步骤;及一去除光阻之步骤;形成一种可在第二次蚀刻之前去除大部份光阻微粒,以降低元件缺陷者。4. 如申请专利范围第3项所述之去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,其中该绝缘层为以乾蚀刻方式去除者。5.如申请专利范围第3或4项所述之去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,其中该绝缘层为TEOS者。6. 如申请专利范围第3项所述之去除乾蚀刻表面光阻微粒之方法,其中该第二复晶矽层为以乾式蚀刻方式进行者。图示简单说明:第一图:系传统SRAM局部剖面示意图。第二图:系SRAM晶片缺陷部位之显微放大图。第三图:系SRAM未去除光阻微粒之晶圆缺陷分布示意图。第四图:系SRAM经本发明去除光阻微粒之晶圆缺陷分布示意图。第五图:系传统EPROM局部剖面示意图。第六图:系EPROM晶片缺陷部位之显微放大图。第七图:系EPROM未去除光阻微粒之晶圆缺陷分布示意图。第八图:系EPROM经本发明去除光阻微粒之晶圆缺陷分布