| 主权项 |
1. 去除接线垫区扩散阻隔层的制造方法,适用于一 积体 电路之一接线垫区,该接线垫区具有一玻璃层,该 玻璃层 上具有一扩散阻隔层,该去除接线垫区扩散阻隔层 的制造 方法用以消除该积体电路中金属接触窗之阻値不 均匀及偏 高现象,该制造方法包括: 形成一光阻层于该扩散阻隔层之上,用以定义该接 线垫区 ; 以该光阻层为罩幕,蚀刻位于该接线垫区之该扩散 阻隔层 ; 去除该光阻层; 以快速热处理制程处理未被蚀刻之该扩散阻隔层; 形成该积体电路的接线金属层;2. 如申请专利范围 第1项所述之制造方法,其中,使该玻 璃层为一硼磷矽玻璃层。3. 如申请专利范围第1项 所述之制造方法,其中,使该扩 散阻隔层为一氮化钛层。4. 如申请专利范围第1项 所述之制造方法,其中,去除该 光阻层系利用一电浆灰化器达成。5. 如申请专利 范围第1项所述之制造方法,其中,该快速 热处理制程包含两阶段,第一阶段为时间较长,温 度较低 ;第二阶段为时间较短,温度较高。6. 如申请专利 范围第5项所述之制造方法,其中,该第一 阶段的处理温度为600℃左右,时间为50至60秒,该第 二 阶段的处理温度为750℃左右,时间为20至30秒。图 示简单说明: 第1图表示金线连接之接线垫区示意剖面图。 第2图表示铝线连接之接线垫区示意剖面图。 第3图表示接线垫区示意剖面图,其中氮化钛层已 被去除 。 第4图至第10图表示习知技术去除接线垫区之氮化 钛层的 制造流程剖面图,其中,(a)图表示该步骤时之元件 区部 份,(b)图表示该步骤时之接线垫区部份。 第11图表示一晶方分隔为数个区块之示意图。 第12图至第18图表示本发明去除接线垫区之氮化钛 层的制 造流程剖面图,其中,(a)图表示该步骤时元件区部 份,( |
