| 主权项 |
1. 一种自动对准埋窗之制造方法,适用于一矽基底 其经 过场区氧化物成长以及闸极氧化物成长,并且沈积 一第一 复晶矽层并完成埋窗蚀刻,包括下列步骤: 沈积一第二复晶矽层; 在埋窗区上方上述第二复晶矽层的凹槽内形成一 边墙间隔 物; 沈积一矽化钨层; 沈积并定义一第二次光阻;及 进行同向性方式蚀刻,以形成埋窗,然后除去上述 第二次 光阻。2. 如申请专利范围第1项之自动对准埋窗之 制造方法,其 中形成该边墙间隔物之步骤系藉由沈积一氧化矽 层或氮化 矽层,再加以蚀刻而成。3. 如申请专利范围第2项 之自动对准埋窗之制造方法,其 中该氧化矽层或氮化矽层之厚度约1K@fc(1.frch)8至1. 5K @fc(1.frch)8。4. 一种自动对准埋窗之制造方法,适用 于一矽基底其经 过场区氧化物成长以及闸极氧化物成长,并且沈积 一第一 复晶矽层并完成埋窗蚀刻,包括下列步骤: 沈积一第二复晶矽层; 在埋窗区上方上述第二复晶矽层的凹槽内形成一 边墙间隔 物; 沈积并定义一第二次光阻;及 进行同向性方式蚀刻,以形成埋窗,然后除去上述 第二次 光阻。5. 如申请专利范围第4项之自动对准埋窗之 制造方法,其 中形成该边墙间隔物之步骤系藉由沈积一氧化矽 层或氮化 矽层,再加以蚀刻而成。6. 如申请专利范围第5项 之自动对准埋窗之制造方法,其 中该氧化矽层或氮化矽层之厚度约1K@fc(1.frch)8至1. 5K @fc(1.frch)8。图示简单说明: 图1a至图1e显示习用之埋窗制程剖面图。 图2a至图2d显示另一种习用之埋窗制程剖面图。 图3a至图3f显示本发明之自动对准埋窗制程之一较 佳实施 例的剖面图。 图4a至图4e显示本发明之自动对准埋窗制程之另一 较佳实 施例的剖面图。 |
