| 主权项 |
1.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含: 编程一第一NAND(反及)串上之一第一非挥发性储存 元件;及 编程该第一NAND串上之一第二非挥发性储存元件, 该第一非挥发性储存元件之该编程在时间上与该 第二非挥发性储存元件之该编程重叠。 2.如请求项1之方法,其中: 编程一第一非挥发性储存元件之该步骤包括将一 第一编程脉冲施加于一用于该第一非挥发性储存 元件之控制闸极;且 编程一第二非挥发性储存元件之该步骤包括将一 第二编程脉冲施加于一用于该第二非挥发性储存 元件之控制闸极,同时将该第一编程脉冲施加于用 于该第一非挥发性储存元件之该控制闸极。 3.如请求项1之方法,其中: 编程一第一非挥发性储存元件之该步骤包括建立 一用于该第一非挥发性储存元件之第一编程条件; 且 编程一第二非挥发性储存元件之该步骤包括建立 一用于该第二非挥发性储存元件之第二编程条件, 该第二编程条件独立于该第一编程条件。 4.如请求项3之方法,其中: 该第一编程条件包括一处于或接近于0伏特之通道 电压;且 该第二编程条件包括一处于或接近于一禁止位准 之通道电压。 5.如请求项3之方法,其中: 该第一编程条件包括一处于或接近于0伏特之通道 电压;且 该第二编程条件包括一处于或接近于一延迟但不 禁止编程之位准的通道电压。 6.如请求项1之方法,其进一步包含: 编程一第二NAND串上之一第三非挥发性储存元件, 同时编程该第一非挥发性储存元件;及 编程该第二NAND串上之一第四非挥发性储存元件, 同时编程该第二非挥发性储存元件,该第三非挥发 性储存元件之该编程在时间上与该第四非挥发性 储存元件之该编程重叠。 7.如请求项1之方法,其进一步包含: 编程该第一NAND串上之一第三非挥发性储存元件, 该第三非挥发性储存元件之该编程在时间上与该 第一非挥发性储存元件之该编程重叠。 8.如请求项7之方法,其进一步包含: 编程该第一NAND串上之一第四非挥发性储存元件, 该第四非挥发性储存元件之该编程在时间上与该 第一非挥发性储存元件之该编程重叠。 9.如请求项1之方法,其中: 该第一NAND串包括第一组非挥发性储存元件及第二 组非挥发性储存元件; 该第一组包括该第一非挥发性储存元件; 该第二组包括该第二非挥发性储存元件; 该第一NAND串包括一边界储存元件,其在至少一时 期内充当该第一组与该第二组之间的一边界;且 该第一NAND串包括一选择闸极。 10.如请求项9之方法,其中编程一第一非挥发性储 存元件及编程一第二非挥发性储存元件之该等步 骤包含: 将一第一値施加于一与该第一NAND串相关之位元线 ; 提升与该第一NAND串相关之字元线,以基于该第一 値产生一用于该第一组之第一条件; 断开该边界储存元件,以维持用于该第一组之该第 一条件; 将一第二値施加于该位元线;及 提升与该第一NAND串相关之该等字元线之至少一子 组,以基于该第二値产生一用于该第二组之第二条 件,该第一条件在时间上与该第二条件重叠。 11.如请求项10之方法,其中: 编程一第一非挥发性储存元件之该步骤包括将一 第一编程脉冲施加于一用于该第一非挥发性储存 元件之控制闸极;且 编程一第二非挥发性储存元件之该步骤包括将一 第二编程脉冲施加于一用于该第二非挥发性储存 元件之控制闸极,同时将该第一编程脉冲施加于用 于该第一非挥发性储存元件之该控制闸极。 12.如请求项1之方法,其中: 该第一非挥发性储存元件及该第二非挥发性储存 元件为多状态NAND快闪记忆体电晶体。 13.如请求项1之方法,其中: 该第一NAND串位于一抽取式记忆卡上。 14.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含: 编程一第一非挥发性储存元件;及 编程一第二非挥发性储存元件,同时编程该第一非 挥发性储存元件,该第一非挥发性储存元件及该第 二非挥发性储存元件为一组串联的非挥发性储存 元件之部分。 15.如请求项14之方法,其中: 该第一非挥发性储存元件之该编程包括建立一用 于该第一非挥发性储存元件之第一编程条件;且 该第二非挥发性储存元件之该编程包括建立一用 于该第二非挥发性储存元件之第二编程条件,该第 二编程条件独立于该第一编程条件。 16.如请求项14之方法,其进一步包含: 编程一第三非挥发性储存元件,该第三非挥发性储 存元件为该组非挥发性储存元件之部分,该第三非 挥发性储存元件之该编程在时间上与该第一非挥 发性储存元件之该编程重叠;及 编程一第四非挥发性储存元件,该第四非挥发性储 存元件为该组非挥发性储存元件之部分,该第四非 挥发性储存元件之该编程在时间上与该第一非挥 发性储存元件之该编程重叠。 17.如请求项14之方法,其中编程一第一非挥发性储 存元件及编程一第二非挥发性储存元件之该等步 骤包含: 将一第一値施加于一共同位元线; 提升与该组相关之字元线,以基于该第一値产生一 用于该第一非挥发性储存元件之第一条件; 断开一与该组相关之边界储存元件,以维持用于该 第一非挥发性储存元件之该第一条件; 将一第二値施加于该共同位元线;及 提升与该组相关之该等字元线之至少一子组,以基 于该第二値产生一用于一第二非挥发性储存元件 之第二条件,该第一条件在时间上与该第二条件重 叠。 18.如请求项17之方法,其中: 该第一非挥发性储存元件及该第二非挥发性储存 元件为NAND快闪记忆体装置;且 该共同选择线为一汲极侧选择闸极控制线。 19.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含: 编程一第一非挥发性储存元件,该第一非挥发性储 存元件之该编程包括将该第一非挥发性储存元件 之一临限电压升高至一第一已编程状态;且 于编程该第一非挥发性储存元件时,同时编程一第 二非挥发性储存元件,该第一非挥发性储存元件及 该第二非挥发性储存元件为具有与一共同选择线 相关之通道的一组非挥发性储存元件之部分,该第 二非挥发性储存元件之该编程包括将该第二非挥 发性储存元件之一临限电压升高至一第二已编程 状态,该第一非挥发性储存元件及该第二非挥发性 储存元件为多状态NAND快闪记忆体装置。 20.一种非挥发性储存系统,其包含: 一组非挥发性储存元件,其与一共同位元线及一共 同选择线相关,该组包括一第一非挥发性储存元件 及一第二非挥发性储存元件;及 一控制电路,该控制电路引起该第一非挥发性储存 元件之编程,该控制电路在该第一非挥发性储存元 件之该编程期间引起该第二非挥发性储存元件之 编程。 21.如请求项20之非挥发性储存系统,其中: 该控制电路建立一用于该第一非挥发性储存元件 之第一编程条件且建立一用于该第二非挥发性储 存元件之第二编程条件,该第二编程条件独立于该 第一编程条件。 22.如请求项20之非挥发性储存系统,其中: 该组包括一第三非挥发性储存元件及一第四非挥 发性储存元件; 该控制电路在该第一非挥发性储存元件之该编程 期间引起该第三非挥发性储存元件之编程;且 该控制电路在该第一非挥发性储存元件之该编程 期间引起该第四非挥发性储存元件之编程。 23.如请求项20之非挥发性储存系统,其中该控制电 路执行一方法,该方法包含: 将一第一値施加于该共同位元线; 提升与该组相关之字元线,以基于该第一値产生一 用于该第一非挥发性储存元件之第一条件; 断开一与该组相关之边界储存元件,以维持用于该 第一非挥发性储存元件之该第一条件; 将一第二値施加于该共同位元线;及 提升与该组相关之该等字元线之至少一子组,以基 于该第二値产生一用于一第二非挥发性储存元件 之第二条件,该第一条件在时间上与该第二条件重 叠。 24.如请求项23之非挥发性储存系统,其中: 该控制电路藉由将一第一编程脉冲施加于一用于 该第一非挥发性储存元件之控制闸极来编程该第 一非挥发性储存元件;且 该控制电路藉由将一第二编程脉冲施加于一用于 该第二非挥发性储存元件之控制闸极同时将该第 一编程脉冲施加于用于该第一非挥发性储存元件 之该控制闸极,来编程该第二非挥发性储存元件。 25.如请求项24之非挥发性储存系统,其中: 该组非挥发性储存元件包括在一NAND串上之NAND快 闪记忆体装置;及 该共同选择线为一用于该NAND串之汲极侧选择闸极 控制线。 26.如请求项20之非挥发性储存系统,其中: 该控制电路包括一控制器、一状态机、解码器及 感应放大器。 27.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含: 建立一用于一第一非挥发性储存元件之第一编程 条件; 在该第一编程条件持续的同时建立一用于一第二 非挥发性储存元件之第二编程条件,该第一编程条 件不同于该第二编程条件,以使得该第一非挥发性 储存元件编程为一不同于该第二非挥发性储存元 件之位准,该第一非挥发性储存元件及该第二非挥 发性储存元件为与一共同源极/汲极控制线及一不 同选择线相关之一组非挥发性储存元件之部分;及 使用该第一编程条件来编程该第一非挥发性储存 元件,且使用该第二编程条件来编程该第二非挥发 性储存元件。 28.如请求项27之方法,其中: 该编程步骤包括将一编程脉冲施加于该第一非挥 发性储存元件及将一编程脉冲施加于该第二非挥 发性储存元件。 29.如请求项27之方法,其中: 该建立一第一编程条件之步骤包括将一第一値施 加于该共同源极/汲极控制线、提升与该组相关之 字元线及断开一与该组相关之边界非挥发性储存 元件;且 该建立一第二编程条件之步骤包括将一第二値施 加于该共同源极/汲极控制线,及提升与该共同源 极/汲极控制线相关之该等字元线之至少一子组。 30.如请求项29之方法,其中: 该第一非挥发性储存元件及该第二非挥发性储存 元件为在一NAND串上之NAND快闪记忆体装置; 该共同源极/汲极控制线为一连接至该NAND串之位 元线; 该共同选择线为一用于该NAND串之汲极侧选择闸极 控制线;且 该第一非挥发性储存元件之该编程在时间上与该 第二非挥发性储存元件之该编程重叠。 31.一种非挥发性储存系统,其包含: 一组非挥发性储存元件,其与一共同源极/汲极控 制线及一共同选择线相关,该组包括一第一非挥发 性储存元件及一第二非挥发性储存元件;及 一控制电路,该控制电路建立一用于该第一非挥发 性储存元件之第一编程条件且在该第一编程条件 持续的同时建立一用于该第二非挥发性储存元件 之独立的第二编程条件,该控制电路基于该第一编 程条件引起该第一非挥发性储存元件之编程且基 于该第二编程条件引起该第二非挥发性储存元件 之编程。 32.如请求项31之系统,其中: 该第一非挥发性储存元件之该编程步骤包括将一 编程脉冲施加于该第一非挥发性储存元件,且该第 二非挥发性储存元件之该编程步骤包括将一编程 脉冲施加于该第二非挥发性储存元件。 33.如请求项31之系统,其中: 该建立一第一编程条件之步骤包括使一第一値施 加于该共同源极/汲极控制线、使与该组相关之字 元线接收一或多个提升电压,及使一与该组相关之 边界非挥发性储存元件断开;且 该建立一第二编程条件之步骤包括使一第二値施 加于该共同源极/汲极控制线,及使与该组相关之 该等字元线之至少一子组接收提升电压。 34.如请求项31之系统,其中: 该第一非挥发性储存元件及该第二非挥发性储存 元件为在一NAND串上之NAND快闪记忆体装置; 该共同源极/汲极控制线为一连接至该NAND串之位 元线; 该共同选择线为一用于该NAND串之汲极侧选择闸极 控制线;且 该第一非挥发性储存元件之该编程在时间上与该 第二非挥发性储存元件之该编程重叠。 35.如请求项34之系统,其中: 该第一非挥发性储存元件之该编程步骤包括将一 编程脉冲施加于该第一非挥发性储存元件,且该第 二非挥发性储存元件之该编程包括将一编程脉冲 施加于该第二非挥发性储存元件; 该建立一第一编程条件之步骤包括使一第一値施 加于该共同源极/汲极控制线、使与该组相关之字 元线接收一或多个提升电压,及使一与该组相关之 边界非挥发性储存元件断开;且 该建立一第二编程条件之步骤包括使一第二値施 加于该共同源极/汲极控制线,及使与该组相关之 该等字元线之至少一子组接收提升电压。 36.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含: 建立一用于一第一NAND串上之一第一非挥发性储存 元件的第一编程条件; 在该第一编程条件持续的同时建立一用于该第一 NAND串上之一第二非挥发性储存元件之第二编程条 件,该第一编程条件独立于该第二编程条件;及 使用该第一编程条件来编程该第一非挥发性储存 元件,且使用该第二编程条件来编程该第二非挥发 性储存元件。 37.一种用于编程非挥发性储存器之方法,其包含; 将一第一値施加于一位元线; 提升与一组非挥发性储存元件相关之字元线,以基 于该第一値来产生一第一条件,该组非挥发性储存 元件与该位元线相关; 断开该组之一第一非挥发性储存元件,以维持用于 该组之一第二非挥发性储存元件的该第一条件; 将一第二値施加于该位元线; 提升该等字元线之至少一子组,以基于该第二値产 生一用于该组之一第三非挥发性储存元件之第二 条件,该第一条件与该第二条件在时间上重叠;及 编程该第二非挥发性储存元件及该第三非挥发性 储存元件。 38.如请求项37之方法,其中: 该第二非挥发性储存元件及该第三非挥发性储存 元件之该编程步骤包括将一编程脉冲施加于该第 二非挥发性储存器及将一编程脉冲施加于该第三 非挥发性储存元件。 39.如请求项37之方法,其中: 该组非挥发性储存元件为一NAND串。 40.如请求项37之方法,其中: 该第一非挥发性储存元件、该第二非挥发性储存 元件及该第三非挥发性储存元件为在一NAND串上之 多状态NAND快闪记忆体装置。 图式简单说明: 图1为一NAND串之俯视图。 图2为该NAND串之等效电路图。 图3为该NAND串之横截面图。 图4为一非挥发性记忆体系统之一实施例的方块图 ,其中实施了本发明之各种态样。 图5说明一记忆体阵列之组织的一实例。 图6展示用于一多状态非挥发性记忆体装置之临限 电压分布。 图7描绘一编程电压讯号,其包括量値随时间流逝 而增大之一系列编程脉冲。 图8描绘来自图7之讯号之三个编程脉冲及在该等 编程脉冲之间的验证脉冲。 图9描绘一NAND串。 图10为描述一用于编程快闪记忆体之过程的一实 施例之流程图。 图11为描述一用于建立编程条件之过程的一实施 例之流程图。 图12为描述在编程过程期间各种讯号之状态的时 序图。 图13为描述一用于建立编程条件之过程的一实施 例之流程图。 图14为描述一用于验证之过程的一实施例之流程 图。 |
