| 摘要 |
设置焊垫,及电流检测时用于连接共通资料线与焊垫之第1开关。设置第2开关,电流检测时使非选择位元线保持于和读出电压VR相同或较其低的第1电压。电流检测时使用第1开关连接共通资料线与焊垫,如此则,可由焊垫对行及列选择之记忆格施加电压。此时藉由监控流入之电流可以检测出流入记忆格之电流。藉由上述第2开关使非选择位元线保持于上述第1电压,因此用于分离非选择位元线与共通资料线的CMOS开关之偏压可设为如下。亦即,CMOS开关之源极/汲极间电压可缓和于上述第1电压范围内,构成上述CMOS开关之NMOS电晶体之闸极/源极间及体(bulk)/源极间电压可设为上述第1电压范围内之逆偏压。 |
