发明名称 半导体装置,平行介面系统及其方法
摘要 本发明提供一种半导体装置、一种平行介面系统及其方法。该实例半导体装置可包括:一产生一参考时脉信号之参考时脉传输区块;复数个第一收发器区块,该复数个第一收发器区块中之每一者基于复数个相位控制式传输采样时脉信号中之一者来传输至少一个平行资料位元信号;及一每插脚去偏斜区块,其控制一传输采样时脉信号之一相位以产生用于该各别复数个收发器区块之该等相位控制式采样时脉信号,该每插脚去偏斜区块在一第一操作模式下基于一在复数个训练资料位元信号中的一对应于一给定第一收发器区块之给定训练资料位元信号与该参考时脉信号之间的相位偏斜且在一第二操作模式下基于与一在该至少一个平行资料位元信号中之一给定平行资料位元信号与该参考时脉信号之间的相位偏斜有关的相位偏斜资讯来控制每一相位控制式传输采样时脉信号之该相位。一实例方法可包括在一第一操作模式下基于一在复数个所传输之训练资料位元信号与相应复数个所接收之训练资料位元信号之间的比较来减少偏斜及在一第二操作模式下基于与一在一参考信号与一平行资料位元信号之间的相位偏斜差异有关的所接收之相位偏斜资讯来减少偏斜。
申请公布号 TW200818211 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096121941 申请日期 2007.06.15
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 裴升浚;张星珍;赵范植
分类号 G11C7/10(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国