| 主权项 |
1. 一种半导体装置,其特征系在于具有设于半导体 基板 上,具有由多结晶矽层和金属矽化物层所成闸电极 的MOS 电晶体,和形成下部电极层的第1多结晶矽层和层 间绝缘 层和形成上部电极层之第2结晶矽层所成电容器者 。2. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 由前述 电容器为绝缘层,被覆于前述上部电极层及其侧面 者。3. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 前述金属 矽化物为至少选自一种以上WSi,MoSi@ss2,TiSi@ss2, TaSi@ss2,CoSi@ss2之层所成者。4. 如申请专利范围第1 项之半导体装置,其中,前述层间 绝缘层为SiO@ss2者。5. 如申请专利范围第1项之半 导体装置,其中,覆盖前述 第2之多结晶矽层之绝缘层为SiO@ss2者。6. 如申请 专利范围第1项之半导体装置,其中,覆盖前述 第2之多结晶矽层之绝缘层为SiN者。7. 如申请专利 范围第1项之半导体装置,其中,前述第1 之多结晶矽层之薄膜电阻为30-1000/。8. 如申 请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述电容 器为单元电容器者。9. 如申请专利范围第1项之半 导体装置,其中,下部电极 层部分之电阻较其他多结晶矽层之电阻为高者。 10. 一种半导体装置,其特征系在于具有设于半导 体基板 上,具有多结晶矽层和金属矽化物层所成闸电极的 MOS电 晶体,和形成下部电极层的第1多结晶矽层和层间 绝缘层 和形成上部电极层之第2多结晶矽层所成电容器, 和多结 晶矽层单层所成电阻体者。11. 一种半导体装置, 其特征系在于由多结晶矽所构成电 容器之下部电极的不纯物浓度相对其周边部之不 纯物浓度 为低,且薄层电阻値范围为30-1000/。12. 一种半 导体装置之制造方法,其特征系在于半导体基 板上形成场氧化膜及闸氧化膜,堆积第1多结晶矽 层,于 前述第1多结晶矽层上形成绝缘层,于前述绝缘层 上形成 第2多结晶矽层,留下成为电容器上部电极层之部 分,蚀 刻前述第2多结晶矽层,选择性地被覆覆盖前述上 述电极 层及其侧面之第1罩体, 接着形成金属矽化物层后,于形成MOS电晶体之闸电 极部 分形成第2罩体,蚀刻前述第1多结晶矽层及前述金 属矽化 物层, 由多结晶矽层及金属矽化物层的积层构造所成闸 电极及多 结晶矽层之电极及矽氧化膜之层间绝缘层所成电 容器所形 成。13. 如申请专利范围第12项之半导体装置之制 造方法,其 中,前述第1之罩体为绝缘层者。14. 如申请专利范 围第12项之半导体装置之制造方法,其 中,前述第1罩体系由CVD所形成之SiO@ss2者。15. 如申 请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其 中,前述第1之罩体系由CVD所形成之SiN者。16. 如申 请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其 中,前述金属矽化物为至少选自一种以上WSi,MoSi@ss2 ,TiSi@ss2,TaSi@ss2,CoSi@ss2之层所成者。17. 如申请专利 范围第12项之半导体装置之制造方法,其 中,使前述第1之多结晶矽层之薄膜电阻为30-1000/ ,而扩散不纯物者。18. 一种半导体装置之制造 方法,其特征系在于半导体基 板上形成场氧化膜及闸氧化膜,堆积第1多结晶矽 层,于 前述第1多结晶矽层上形成绝缘层,于前述绝缘层 形成第2 多结晶矽层,留下成为电容器上部电极层之部分, 蚀刻前 述第2多结晶矽层,选择性地被覆覆盖前述上部电 极层及 其侧面和多结晶矽层单层之电阻体所成部分之第1 罩体; 接着形成金属矽化物层后,于形成MOS电晶体之闸电 极之 部分形成第2罩体,蚀刻前述第1多结晶矽层及前述 金属矽 化物层, 由多结晶矽层及金属矽化物层的积层构造所成闸 电极和多 结晶矽层之电极及矽氧化膜之层间绝缘层所成电 容器和多 结晶矽层单层所成电阻体所形成。19. 如申请专利 范围第18项之半导体装置之制造方法,其 中,蚀刻前述第2之多结晶矽层之同时,蚀刻前述第1 之多 结晶矽层上之绝缘层,接着扩散不纯物,使前述第2 之多 结晶矽层及未覆盖于前述第2之多结晶矽层之前述 第1之多 结晶矽层的电阻下降者。20. 一种半导体装置之制 造方法,其特征系在于包含于半 导体基板上所形成之氧化膜上形成第1之多矽膜的 工程, 和对第1之多矽膜扩散不纯物,使该第1之多矽膜之 薄膜电 阻値控制在30-1000/之范围内的工程, 和于薄膜电阻控制工程后之第1多矽膜上介由绝缘 层形成 成为电容器上部电极的第2多矽膜之工程, 和使前述第2多矽膜形成图案,形成单元电容器之 上部电 极之工程, 和藉由形成图案令使残留的前述第2多矽膜做为罩 体,对 前述第1多矽膜再藉由扩散不纯物,使前述第2多矽 膜下侧 的第1多矽膜,除被控制薄膜电阻値之第1多矽膜之 外的部 分之不纯物浓度上升的工程, 和图案形成前述第1多矽膜,形成闸及单元电容器 下部电 极之工程者。21. 一种半导体装置之制造方法,其 特征系在于包含于半 导体基板上所形成之氧化膜上形成第1之多矽膜的 工程, 和对第1之多矽膜扩散不纯物,使该第1之多矽膜之 薄膜电 阻値控制在300-1000/之范围内的工程, 和对前述第1多矽膜施以图案形成,形成闸及电容 器下部 电极之工程, 和藉由该图案形成工程,于被图案形成的前述第1 多矽膜 上形成层间绝缘层后,于该层间绝缘层上形成成为 电容器 上部电极之第2多矽膜之工程, 和对第2之多矽膜图案形成之工程, 和对第2多矽膜藉由扩散不纯物,使前述第2多矽膜 下侧的 第1多矽膜,除被控制薄膜电阻値之第1多矽膜之外 的部分 之不纯物浓度上升的工程者。图示简单说明: [图1]系说明本发明之半导体装置之制造方法第1实 施例 之工程图,(A)-(F)为显示各工程后半导体装置之构 成的 概略截面图。 [图2]系显示一般SCF之构成的回路图。 [图3]系说明以往之半导体装置之制造方法之一例 的工 程图。(a)-(f)为显示各工程后半导体装置之构成的 概略 截面图。 [图4]系说明以往之半导体装置之制造方法之其他 例的 工程图,(a)-(f)为显示各工程后半导体装置之构成 的概 |
