| 发明名称 | 带隙基准电压产生电路 | ||
| 摘要 | 提供一种降低了因光照射导致的电压波动的带隙基准电压产生电路。该带隙基准电压产生电路的特征在于包括：由第1导电类型的半导体构成的基板；在上述基板上形成的第1晶体管；在上述基板上形成的、与上述第1晶体管基极共同连接的第2晶体管；在上述基板上形成的、具有第2导电类型、在上述第2晶体管的集电极层和上述基板之间并联连接的光吸收区；以及与上述第1晶体管的基极和第2晶体管的基极共同连接的基准电压输出端子，且上述第1晶体管的集电极层的面积比上述第2晶体管的上述集电极层的面积大。 | ||
| 申请公布号 | CN101330083A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810125346.9 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泷场由贵子;田中明广;铃永浩 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/144(2006.01);G05F3/30(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种带隙基准电压产生电路，其特征在于包括：由第1导电类型的半导体构成的基板；在上述基板上形成的第1晶体管；在上述基板上形成的、针对上述第1晶体管基极共同连接的第2晶体管；在上述基板上形成的、具有第2导电类型、且在上述第2晶体管的集电极层和上述基板之间并联连接的光吸收区；以及与上述第1晶体管的基极和第2晶体管的上述基极共同连接的基准电压输出端子，且上述第1晶体管的集电极层的面积比上述第2晶体管的上述集电极层的面积大。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||