用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

用于半导体存储器件的TFT，包括第一绝缘层1上形成的第一导电层2、覆盖在其上的第二绝缘层3，第二绝缘层内形成的开口4，在开口4中暴露第一导电层的表面及在第二绝缘层3上预定部分表面形成半导体层5，覆盖在半导体层5上的薄栅极绝缘层6，在其上形成第二导电层7，在半导体层5之第一部分内形成的第一杂质区，在半导体层5之第二部分内形成的第二杂质区，和在半导体层5内第一与第二杂质区间所确定的沟道区5c。

主权项

1.一种用于半导体存储器件的TFT，其特征在于包括：第一导电层2，它在第一绝缘层1上形成并用第一导电型杂质掺杂；第二绝缘层3，它覆盖在所说第一导电层2上；一个开口4，它在所说的第一导电层2上的第二绝缘层3内形成；一个半导体层5，它在暴露于所说的开口4内的所说的第一导电层2的表面和所说的第二绝缘层3的预定部分的表面上形成；一个薄栅极绝缘层6，它覆盖在所说的半导体层5上；第二导电层7，它在所说的开口4里面及其周围的薄栅极绝缘层6上形成；第一杂质区，它在与所说开口4底部的第一导电层2接触的所说半导体层5的第一部分内形成，并用第一导电型杂质掺杂；第二杂质区，它在所说第二绝缘层3上的半导体层5的第二部分内形成，并用第一导电型杂质掺杂；以及一个沟道区5c，它处在所说的半导体层5内的第一与第二杂质区之间。