发明名称 CMOS circuit
摘要 <p>Bei der Übertragung hochfrequenter Signale über eine Leitung zu einer integrierten Schaltung ist die Leitung möglichst nahe an ihrem Ende angepaßt abzuschließen. Jedes Leitungsstück ohne angepaßten Abschlußwiderstand und jede Leitungsverzweigung erzeugt störende Reflexionen des Signals. Bei modernen Gehäusen hochintegrierter Schaltungen haben die Anschlüsse nur noch einen Abstand von 0,5 mm, und es wird zunehmend schwieriger, die Signalleitungen möglichst dicht am Anschluß der integrierten Schaltung mit einem Widerstand zu beschalten. Erfindungsgemäß wird ein als Abschlußwiderstand wirkender Feldeffekttransistor (TR) innerhalb der integrierten Schaltung angeordnet. Der durch den Kanalwiderstand bestimmte Widerstandswert wird durch eine geregelte Steuerspannung so eingestellt, daß Einflüsse der Betriebstemperatur, Änderungen der Vorsorgungsspannung und herstellungsprozeßbedingte Abweichungen der integrierten Schaltung keine Auswirkungen auf den für die Leitungsanpassung erforderlichen Widerstandswert haben. <IMAGE></p>
申请公布号 EP0721269(A2) 申请公布日期 1996.07.10
申请号 EP19950119724 申请日期 1995.12.14
申请人 ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BANNIZA, THOMAS;PREISACH, HELMUT
分类号 H03H11/28;H03M1/06;H03M1/48;H03M1/74;H04L25/02;(IPC1-7):H04L25/02 主分类号 H03H11/28
代理机构 代理人
主权项
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