透光导电薄膜的半导体晶片结合方法

摘要

本发明属于半导体器领域中的一种制造器件的方法，它主要是将含有半导体元件结构的基片腐蚀，另取一具有同导电性的基片，并镀以一透光导电薄膜，再将含半导体元件结构的晶片与该基片夹紧置于高温炉中加热一段时间以结合基片，本发明既可提高二极管的发光效率，又可以在较低温度下被结合，同时，薄膜层也成为被结合的晶片间不同晶格常数的缓冲层，从而改良了晶体结合介面的结构，因此本发明具有很好的实用性。

主权项

1，一种应用透光导电薄膜的半导体晶片结合方法，其特征在于包含有如下步骤：a、准备一个含半导体元件的晶片；b、准备第二个半导体基片；c、在第二半导体基片上形成一层透光导电薄膜；d、再将第二个半导体基片与第一晶片紧夹，使透光导电薄膜介于该第二基片与第一晶片之间；e、将紧夹的两晶片置于高温炉中加热一段时间，即可完成晶片的结合。