晶圆加工用带

摘要

本发明的晶圆加工用带，具备具有基材片材11与黏着剂层12之黏着带10、及被设置于黏着剂层12上之接着剂薄膜13，系在-15℃～5℃的低温下，藉由扩展黏着带10使接着剂薄膜13对应各个晶片而被分割时使用，黏着带10之藉由于0℃±2℃的剥离试验所得到的相对于接着剂薄膜13的剥离力为0.2N／25mm以上。