| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un assemblage monolithique de composants semiconducteurs de puissance verticaux formés sur toute l'épaisseur d'une plaquette semiconductrice d'un premier type de conductivité faiblement dopée dont la face arrière est uniformément revêtue d'une métallisation. Certains au moins des composants, dits composants autonomes, sont formés dans des sections isolées du substrat dont l'isolement latéral est assuré par un mur diffusé du deuxième type de conductivité (6) et dont le fond est isolé par une couche diélectrique (7) interposée entre la face arrière du substrat et la métallisation (M).</P>
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| 申请公布号 |
FR2729008(A1) |
申请公布日期 |
1996.07.05 |
| 申请号 |
FR19940016011 |
申请日期 |
1994.12.30 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
PEZZANI ROBERT |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/761;H01L21/822;H01L21/8222;H01L23/40;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861;H05K7/20;(IPC1-7):H01L27/07 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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