发明名称 METHOD FOR CLEANING WAFER
摘要 본 발명의 웨이퍼의 세정 방법은, 표면에 요철 패턴이 형성되고 상기 요철 패턴의 오목부 표면에, 티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 탄탈, 및, 루테늄 중 적어도 1종의 원소를 갖는 웨이퍼의 세정 방법으로서, 상기 방법은, 적어도, 요철 패턴의 적어도 오목부에 세정액을 유지하는 전처리 공정, 상기 전처리 공정 후, 요철 패턴의 적어도 오목부에 보호막 형성용 약액을 유지하는 보호막 형성 공정, 및, 건조에 의해 요철 패턴으로부터 액체를 제거하는 건조 공정을 가지며, 상기 보호막형성용 약액이, 적어도 상기 오목부 표면에 발수성 보호막을 형성하기 위한 발수성 보호막 형성제를 포함하는 약액이며, 상기 세정액이, 상기 보호막 형성용 약액이 염기성이면 산성이고, 상기 보호막 형성용 약액이 산성이면 염기성인 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20160067090(A) 申请公布日期 2016.06.13
申请号 KR20167006434 申请日期 2014.09.08
申请人 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 发明人 SAITO MASANORI;SAIO TAKASHI;KUMON SOICHI;ARATA SHINOBU
分类号 H01L21/02;C07F9/38;C11D7/06;C11D7/08;C11D7/26;C11D7/32;C11D11/00 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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