| 发明名称 |
Boosting voltage circuit for semiconductor memory device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2296593(A) |
申请公布日期 |
1996.07.03 |
| 申请号 |
GB19950026716 |
申请日期 |
1995.12.29 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
SEI-SEUNG * YOON;CHAN-JONG * PARK;BYUNG-CHUL * KIM |
| 分类号 |
G11C11/407;G11C5/14;G11C11/4074;G11C11/408;H02M3/07;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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