| 主权项 |
1. 一种降低在高密度电浆复晶矽闸极蚀刻所引起的天线电荷效应之方法,该方法系采用在高密度电浆氯/氧混合气体的蚀刻系统,因为使用氯/氧混合气体的蚀刻系统,在复晶矽两个底边会引起壕沟效应,可以防止电荷累积以致闸极氧化层损伤;因高密度电浆氯/氧混合气体的蚀刻系统能够提供高复晶矽/氧化层蚀刻选择比,使得在闸极下层的矽基座不会直接接受离子撞击;故只要调整氯/氧混合气体的流量,使闸极模型两个底边先被蚀刻完毕,造成壕沟效应更加明显,金氧半电容器的崩溃电场値退化消失,如此天线电荷效应就不会产生。2. 如申请专利范围第1项所述之降低在高密度电浆复晶矽闸极蚀刻所引起的天线电荷效应之方法,其中闸极氧化层的厚度范围是5-10nm,成长方式为纯氧或氧(O@ss2)/氮(N@ss2)的气体,在800-1000℃的高温范围。3. 如申请专利范围第1项所述之降低在高密度电浆复晶矽闸极蚀刻所引起的天线电荷效应之方法,其中闸极氧化层的厚度以5nm为最佳。4. 如申请专利范围第1项所述之降低在高密度电浆复晶矽闸极蚀刻所引起的天线电荷效应之方法,其中复晶矽的成长是由LPCVD (Low Pressure Chemical VaperDeposition)技术且在610-630℃高温范围完成。5. 如申请专利范围第1项所述之降低在高密度电浆复晶矽闸极蚀刻所引起的天线电荷效应之方法,其中氯(Cl@ss2)/氧(O@ss2)的流量调整至壕沟效应产生之最佳値是100/5sccm。图示简单说明:图一为在复晶矽闸极蚀刻中,复晶矽尚未被蚀刻时之图;(未使用本发明)图一A为在复晶矽闸极蚀刻中,复晶矽被蚀刻完毕前之图;(使用本发明)图二为在复晶矽闸极蚀刻中,复晶矽尚未被蚀刻时之图;(未使用本发明)图二A为在复晶矽闸极蚀刻中,复晶矽被蚀刻完毕前之图;(使用本发明)图三为未使用本发明之SEM(Scanning ElectronMicroscopy)图;图三A为使用本发明之SEM(Scanning ElectronMicroscopy)图;及图四为蚀刻复晶矽闸极用湿性蚀刻与用氯/氧电浆蚀刻之 |
