| 主权项 |
1. 一种制备烯烃聚合物之方法,该聚合物具有熔体流比,I@ss1@ss0/I@ss2 5.63,及分子量分布,Mw/Mn由下式定义:Mw/Mn (I@ss1@ss0/I@ss2)-4.63,该方法之持徵在于以乙烯单独,或以乙烯与在一连续聚合制程中之一或一以上之C@ss3@ss-@ss2@ss0-烯烃与触媒组成物,于连续聚合条件下连续地接触,其中所述触媒组成物之特征为:(a) 一如下式之催化剂错合物:其中:M为元素周期表3-10族金属,或镧系元素;Cp@su*为以@su5键结模式结合在M的环戊二烯基或取代的环戊二烯基;Z为包括硼之一部分,或元素周期表14族之一者,任意为硫或氧,所述部分至多具有20非氢原子,及任意与Cp@su*及Z结合生成一个稠环系;X于各次出现时,各自独立为具有至多30非氢原子的阴离子配合基或中性路易士硷配合基;n为0,1,2,3或4且比M之价数少2;及Y为与Z键结的阴离子或非离子配合基,而M包括氮,磷,氧或硫且至多具有20非氢原子,Y与Z可任意共同结合生成一个稠环系;及(b) 活化辅触媒。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中之方法为:(A) 气相方法,或(B) 悬浮方法,或(C) 溶液方法,或(D) 淤浆方法。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该溶液方法之聚合条件包括足以形成烯烃聚合物之反应温度及反应器中之乙烯浓度,其中该聚合温度系自20℃至250℃,且其中该乙烯于反应器中之浓度不高于反应器内容物之重量%。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中之聚合条件包括足够生成具有I@ss1@ss0/I@ss2至少为8之乙烯聚合物之反应温度及烯烃浓度。5. 如申请专利范围第3项之方法,其中之聚合条件包括足够生成具有I@ss1@ss0/I@ss2至少为9之乙烯聚合物之反应温度及烯烃浓度。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中(a)为对应下式之醯胺矽烷或醯胺烷二基化合物:式中:M为与@su5环戊二烯基结合的钛,锆或钒;R'于各次出现时各自独立选自至多具有10碳或矽原子之氢,矽烷基,烷基,芳基及其组合;E为矽或碳;X于各次出现时各自独立为氢,烷基,或至多20碳之芳基;及m为1或2。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中(b)为:(A) 甲基铝氧烷或(B) 参(五氟苯基)硼。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中(a)对应于下式:其中:R'于各次出现时各自独立选自至多具有20非氢原子的氢,烷基,芳基,矽烷基,锗烷基,氰基,卤基及其组合;X于各次出现时各自独立选自至多具有20非氢原子的氢阴离子,卤基,烷基,芳基,矽烷基,锗烷基,芳氧基,烷氧基,醯胺,矽氧基,中性路易士硷配合基及其组合;Y为-0-,-S-,-NR@su*-,-PR@su*-,或选自或其中之任一中性二电子给予者配合基其由OR@su*,SR@su*,NR@su*@ss2或PR@su*@ss2所组成基团;M为Ti,Zr,或Hf键结至@su5-环戊之烯基;Z为SiR@su*@ss2,CR@su2,SiR@su*@ss2SiR@su*@ss2,CR@su*@ss2CR@su*@ss2,CR@su*=CR@su*,CR@su*@ss2SiR@su*@ss2,GeR@su*@ss2,BR@su*,BR@su*@ss2;其中其中R@su*于各次出现时各自独立选自至多具有20非氢原子的氢,烷基,芳基,矽烷基,卤化烷基,卤化芳基及其混合物,或两个或两个以上的R@su*基生成Y,Z,或Y与Z共同生成稠环系;及m为1或2。9. 一种制备烯烃聚合物之方法,该聚合物具有熔体流比,I@ss1@ss0/I@ss2 5.63,及分子量分布,Mw/Mn由下式定义:Mw/Mn (I@ss1@ss0/I@ss2)-4.63,该方法之特征在于以乙烯单独,或以乙烯与在一连续聚合制程中之一或一以上之C@ss3@ss-@ss2@ss0-烯烃与触媒组成物,于连续聚合制程条件下连续地接触,其中该触媒组成物之特征在于其为:其中:M为周期表3-10族金属,或镧系元素;Cp@su*为以@su5键结模式与M键结的环戊二烯基或经取代之环戊二烯基;Z为包括硼或元素周期表14族之一,及选性地硫或氧之部分,该部分至多具有20非氢原子,且选择性地Cp@su*与Z结合形成一个稠环系;X于各次出现时各自独立为至多具有30非氢原子之阴离子配合基或中性路易士硷配合基;n为0,1,2,3或4且比M之价数小2;及A-为非配位的相容阴离子。10. 一种制备烯烃聚合物之方法,该聚合物具有熔体流比,I@ss1@ss0/I@ss2 5.63,及分子量分布,Mw/Mn由下式定义:Mw/Mn (I@ss1@ss0/I@ss2)-4.63,该方法之特征在于以乙烯单独,或以乙烯与在一连续聚合制程中之一或一以上之C@ss3@ss-@ss2@ss0—烯烃与触媒组成物,于连续聚合制程条件下连续地接触,其中其中该聚合条件之特征更在于乙烯于反应器中之浓度不高于反应器内容物之约8重量%;其中该触媒组成物之特征在于其为一具有有限电荷分离结构之阴离子触媒:M为元素周期表3-10族金属,或镧系元素;Cp@su*为以@su5键结模式与M键结的环戊二烯基或取代环戊二烯基;Z为包括硼或元素周期表14族之一,及选性地硫或氧之部分,该部分至多具有20非氢原子,且选择性地Cp@su*与Z结合形成一个稠环系;X于各次出现时各自独立为至多具有30非氢原子之阴离子配合基或中性路易士硷配合基;n为0,1,2,3或4,且比M之价数小2;及XA@su*-为@su-XB(C@ss6F@ss5)@ss3。11. 如申请专利范围第1,9及10项之方法,其中M为钛或锆。图示简单说明:第1图为适合制造本发明之聚合物的聚合方法之代表图;第2图以图式资料说明本发明之二例及若干比较例之I@ss1@ss0/I@ss2与Mw/Mn间之关系;第3图乃本发明之一例与比较例之剪应力相对于剪率之作图,说明如文;第4图乃本发明之一例与比较例之剪应力相对于剪率之作图,说明如文;第5图说明由本发明之实例及比较例制成的薄膜之热熔封强度相对于热熔封温度之作图,说明如文;第6图以图解显示本发明之具弹性的实质线性烯聚合物,以及使用单址触媒技术制成的比较性线性聚合物之动态剪黏度资料;第7图图解显示本发明之乙烯/丙烯实质线性共聚物之I@ |
