| 主权项 |
1. 一种在半导体元件上形成难熔金属矽化物层之方法,该方法包含下列步骤:使该元件之元素矽之至少一部位露出;将一层难熔金属淀积于该元件上,以覆盖露出之部位;以及使氮与该金属层发生反应,以靠近元素矽之上述至少一露出部位形成一层矽化物,及在别处形成一层氮化物,氮之分压力大于一大气压。2. 根据申请专利范围第1项之方法,萁中淀积之步骤包含将钛淀积在元件上之步骤。3. 根据申请专利范围第2项之方法,其中反应之步骤包含在分压力为10大气压及温度约为摄氏600@bs3,使氮与金属层发生反应之步骤。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中反应之步骤包含在分压力为10大气压及温度约为摄氏600@bs3,使氮与金属层发生反应之步骤。5. 根据申请专利范围第1项之方法,另包含选择性蚀刻矽化物上之氮化物之步骤。6. 一种在基片表面之二部位间形成互相连接之方法,该基片由矽所构成,该方法包含下列步骤:在基片表面上在二部位间形成一层难熔金属;以及使该金属层在分压力大于一大气压与氮发生反应。7. 根据申请专利范围第6项之方法,其中淀积之步骤包含将钛淀积在基片上之步骤。8. 根据申请专利范围第7项之方法,其中反应之步骤包含使氮在分压力为10大气压及温度约为摄氏600@bs3与金属层发生反应之步骤。9. 根据申请专利范围第6项之方法,其中反应之步骤包含使氮在分压力为10大气压及温度约为摄氏600@bs3与金属层发生反应之步骤。10. 一种在半导体元件上形成一难熔金属矽化物层之方法,该方法包含下列步骤:将一层金属淀积在该元件上,该金属为选自包含钛、钨、铂、钴及其组合之类组;以及使氮与金属层发生反应,氮之分压力大于一大气压。11. 根据申请专利范围第10项之方法,其中反应之步骤包含使带有化合物之氮在分压力为10大气压及温度约为摄氏600@bs3与金属层发生反应之步骤。12. 根据申请专利范围第10项之方法,另包含选择性蚀刻矽化物上之氮化物之步骤。13. 一种在矽基片上形成矽化物氮化物层之方法,该方法包含下列步骤:将约为1,000埃之钛淀积至该基片;以及在基片上形成一矽化物氮化物层,该矽化物氮化物层包含约500埃之TiSi@ss2及1,000埃之TiN。14. 一种积体电路,包含:一矽层;一难熔金属矽化物触点在上述矽层上形成为厚度不超过约500埃;以及一难熔金属氮化物互相连接层形成为邻接上述矽化物触点。15. 根据申请专利范围第14项之积体电路,其中上述难熔金属包含钛。16. 根据申请专利范围第14项之积体电路,另包含一位于上述矽层上之绝缘层,而该难熔金属氮化物互相连接层则延伸穿越该绝缘层至该难熔金属矽化物触点。17.根据申请专利范围第16项之积体电路,其中上述难熔金属包含钛。图示简单说明:图1a至1e为根据本发明所制成之难熔金属矽化物互相连接 |
