发明名称 高侧高频率切换电路
摘要 高侧高频驱动电路用于高切换频率有些许的功率损失。这个高侧高频驱动电路包括一个 MOSFET 连接源极到输入电压。这个 MOSFET 作用如同一个高侧开关。它的闸极连接到第一第二晶体的集极。第一晶体基极连接到第一电路和第二晶体的基极连接到第二电路。第一和第二电路接收一个切换讯号以避免第一和第二晶体在同一时间导通。
申请公布号 TW280055 申请公布日期 1996.07.01
申请号 TW084101661 申请日期 1995.02.20
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 刘兴富
分类号 H03K17/73 主分类号 H03K17/73
代理机构 代理人
主权项 1. 一个用于切换式转换器的高侧高频率驱动电路,包括:第一晶体具有射极,一个集极和一个基极,其中该射极连接到一个输入电压;第二晶体具有一个射极,一个集极和一个基极,其中第二晶体的集极连接到第一晶体的集极;一个第一电路连接到第一晶体的基极,第一电路接收一个切换讯号;以及一个第二电路连接到第二晶体基极,第二电路接收切换讯号,其中第一电路和第二电路避免第一晶体和第二晶体在同一时间导通。2. 如申请专利范围第1项之高侧高频驱动电路其中第一晶体在切换讯号低准位时导通以及第二晶体在切换讯号高准位时导通。3. 如申请专利范围第1项之高侧高频驱动电路,其中第一电路包括第一二极体和第一电阻并联连接,其中第一二极体的阴极连接到第一晶体的基极以及第一二极体的阳极连接到切换讯号;其中第二电路包含一个第二二极体和第二电阻并联连接,其中第二二极体的阴极连接到第二晶体的基极以及第二二极体的阳极连接到切换讯号。4.如申请专利范围第1项之高侧高频率驱动电路,其中第一晶体为p-n-p电晶体,第二晶体为n-p-n电晶体,以及第一和第二二极体为萧特基二极体。5. 一种对于一个切换转换器的高侧高频率驱动电路包括:第一控制切换元件;第二控制切换元件;一个电路用来接收一个切换讯号和控制第一和第二控制切换元件以致于在任何时间仅一个导通;一个开关用来在第一和第二控制切换元件所控制下,转换一个输入电压到一个输出电压在,,以致于当第一控制切换元件导通时开关在第一状态,而当第二控制切换元件导通时,开关在第二状态;及一个转换器电路转换输出电压到第二输出电压。6. 如申请专利范围第5项之高侧高频率驱动电路,其中转换器电路是个多振式降压转换器。7. 如申请专利范围第5项之高侧高频率驱动电路,其中转换器电路是个多振式升压转换器。8. 如申请专利范围第5项之高侧高频率驱动电路,其中转换器电路是个降压转换器。9. 如申请专利范围第5项之高侧高频率驱动电路,其中转换器电路是个升压转换器。图示简单说明:图1描述一个非隔离降压电路包括电压源,高侧开关,一个二极体,一个电感,一个电容和一个电阻负载。图2描述一个重覆性脉冲讯号。图3描述一个降/升电路包括一个电压源,一个高侧开关,一个二极体,一个电感,一个电容和一个电阻性负载。图4描述一个传统高侧驱动电路用来取代图1和图3的高侧驱动电路。图5叙述经由电脑模拟的传统高侧电路的电压和功率波形。图6叙述本发明的高侧高频率驱动电路。图7叙述经由电脑模拟的目前发明的高侧高频率驱动电路的电压和功率波形。图8叙述经由电脑模拟的目前发明之高侧高频率驱动电路的电流波形。图9叙述图8的电流波形的部份放大图形。图10叙述图8中的电流波形另一放大图形。图11叙述图6中的高侧高频率驱动电路应用于多振式转换
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号