半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系于薄膜电晶体中，在将铝等之薄膜图案化形成一定形状之漏极时，将早先所形成之由ITO 所构成之透明电极，以具有接触孔之层间绝缘膜被覆，将该接触孔以成为源极之薄膜材料封塞。藉此，即使使用正型光致抗蚀剂作为将漏极蚀刻时之光罩，针对该正型光致抗蚀剂之一般的显像液（硷水溶液））与透明电极不会接触，因此，构成透明电极之 ITO 不会溶解于显像液中。是以，可使用具有简便之使用性且解像度高之正型光致抗蚀剂。据此，乃可防止透明电极之腐蚀溶解，而于制造程序中缓和条件限制而获得利于量产性之薄膜电晶体。

主权项

1. 一种半导体装置,备有:一包含通道区域及包夹该通道区域的两个接触区域之半导体膜,一设成被覆该半导体膜之第一绝缘膜,一夹着该第一绝缘膜且形成为与上述半导体膜的通道区域对向之闸极,一设成被覆该闸极及第一绝缘膜之第二绝缘膜,一介以贯通上述第一绝缘膜及第二绝缘膜之第一接触孔,与上述接触区域中之一者接续之源极,一介以贯通上述第一绝缘膜及第二绝缘膜之第二接触孔,与上述接触区域中之另一者接续之漏极,以及一形成于上述第一绝缘膜与第二绝缘膜之间,介以贯通该第二绝缘膜之第三接触孔而接续于上述漏极之透明电极。2. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该透明电极系由ITO所构成。3. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该闸极之表面系经阳极所氧化。4. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该源极及漏极系由含铝材料所构成。5. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该源极及漏极,系由层合之复数层膜所构成,该复数层膜中之至少一层,系含铝材料之膜。6. 一种半导体装置之制造方法,此半导体装置备有:一包含通道区域及包夹该通道区域的两个接触区域之半导体膜,一设成被覆该半导体膜之第一绝缘膜,一夹着该第一绝缘膜且形成为与上述半导体膜的通道区域对向之闸极,一设成被覆该闸极及第一绝缘膜之第二绝缘膜,一介以贯通上述第一绝缘膜及第二绝缘膜之第一接触孔,与上述接触区域中之一者接续之源极,一介以贯通上述第一绝缘膜及第二绝缘膜之第二接触孔,与上述接触区域中之另一者接续之漏极,以及一形成于上述第一绝缘膜与第二绝缘膜之间,介以贯通该第二绝缘膜之第三接触孔而接续于上述漏极之透明电极;此方法包括:一将上述半导体膜、第一绝缘膜及闸极依序形成之过程,一将上述闸极之表面阳极氧化之过程,一在上述第一绝缘膜上形成透明电极之过程,一以被覆上述闸极及透明电极之方式,在上述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜之过程,一形成上述第一、第二及第三接触孔之过程,以及一同时形成充填上述第一接触孔之源极,以及充填上述第二接触孔及第三接触孔之漏极之过程。图示简单说明:图1-图6中示的是本发明一实施例之TFT的制造过程之断面图。图7系藉由图1-图6所示之过程所制造的本发明TFT的构成之断面图。图8系本发明其他实施例之TFT的构成之断面图。