| 主权项 |
1. 积体电路之【金属连线】(Metal Interconnection)和 【金属闩柱】(Metal Plug)的制造方法,系包含: 在半导体基板表面(Semiconductor Substrate)形成一层 第一绝缘层(First Insulator),所述半导体基板包含有 【场氧化层】、【金氧半场效电晶体】、【电容 器】和【 电阻器】等元件; 形成【接触窗】(Contact Hole),所述【接触窗】之底 部 是导电体(Conductor); 利用微影技术涂布一层【光阻】(Photoresist),所述 【 光阻】填满了所述【接触窗】; 对所述【光阻】进行曝光(Expose)以形成【光阻图 案】, 所述光阻图案露出所述【接触窗】,由于所述【接 触窗】 内之【光阻】很厚,因此,所述【接触窗】之底部 依然残 留一部份的【光阻】,所述光阻图案也在所述【接 触窗】 以外之区域露出了【线条型区域】(Line Region); 利用蚀刻技术蚀去没有被所述【光阻图案】覆盖 之【第一 绝缘层】,蚀刻之深度等于将来【金属连线】之厚 度,蚀 刻完并去除所述【光阻图案】后,形成了【阶梯型 接触窗 】(Ladder Contact Hole),也形成了【线条型区域】之 光阻图案所造成之【浅凹沟】; 形成金属(Metal),所述【金属】填满了所述【浅凹 沟】 和【阶梯型接触窗】; 去除【浅凹沟】和【阶梯型接触窗】以外区域之 所述【金 属】,以分别在所述【浅凹沟】和【阶梯型接触窗 】内形 成【金属连线】和【T 字型接触窗闩柱】,如此,完 成了 【金属连线】和【金属闩柱】的制造。2. 如申请 专利范围第1项所述之制造方法,其中所述【金 氧半场效电晶体】含有闸氧化层(Gate Oxide)、闸电 极( GateElectrode)与源极/汲极(Source/Drain)。3. 如申请专 利范围第1项所述之制造方法,其中所述【第 一绝缘层】可由两种以上的绝缘层组成。4. 如申 请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述【接 触窗】可以有两个以上,且每个【接触窗】介于导 电体( Conductor)之间。5. 如申请专利范围第1项所述之制 造方法,其中所述【金 属】一般是以化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition;CVD)形成。6. 如申请专利范围第1项所述之 制造方法,其中所述之去 除【浅凹沟】和【阶梯型接触窗】以外区域之所 述【金属 】,可利用电浆蚀刻技术对所述【金属】进行单向 性的回 蚀刻(Anisotropical Etchback),也可以利用化学机械式 磨光技术(Chemical Mechanical Polishing;CMP)。图示简单 说明: 图一至图十是本发明之实施例的制程剖面图( |
