运用蚀刻停止层形成无重叠孔道导线之方法

摘要

本发明系关于一种运用蚀刻停止层形成无重叠孔道导线之方法，尤指一种可使对应于孔道之上、下层导体无需加宽，以改善传统制法之基本限制及提高接线密度，其主要即在金属层上方覆盖一绝缘材料之蚀刻停止层，可在蚀刻形成孔道区时，可藉该蚀刻停止层做为蚀刻挡止，并于蚀刻去除该停止层材料后，再进行孔道沈积填入钨材料形成导电柱，而该蚀刻停止层即提供光罩对准偏差时之过蚀刻止挡以使孔道区域获得适当保护，如此即令对应于孔道的上、下层导体无需加宽，达到降低接点区域之占用面积与提高接线密度之效果者。

主权项

1. 一种运用蚀刻停止层形成无重叠孔道导线之方 法,包 括: 一于元件上方覆盖绝缘层之步骤; 一金属溅镀/光罩/蚀刻以定义出下层导体之步骤; 一沈积适当厚度之绝缘材料之蚀刻停止层的步骤; 一高厚度绝缘层沈积及平坦化之步骤; 一实施形成孔道之进行孔道光罩/蚀刻,以在蚀刻 孔道至 接触该蚀刻停止继续蚀刻之步骤; 一蚀刻去除该蚀刻停止层,而使下层导体上表面露 出孔道 之步骤; 一钨材料沈积/回蚀刻,以形成仅填入于孔道之钨 材料柱 之步骤;及 一重覆前述步骤以形成多层相互间以钨材料柱与 各层导体 衔接之孔道导线的步骤; 由上述步骤可形成金属宽度小于、等于或仅略微 大于孔道 之导线构造者。2. 如申请专利范围第1项所述之运 用蚀刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该蚀刻停止层为氮化矽或 其他绝 缘材料者。3. 如申请专利范围第1项所述之运用蚀 刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该覆盖在元件上方之绝缘 层可为 硼磷玻璃层者。4. 如申请专利范围第1项所述之运 用蚀刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该覆盖在元件上方之绝缘 层可为 氧化层者。5. 一种运用蚀刻停止层形成无重叠孔 道导线之方法,包 括: 一于元件上方覆盖绝缘层之步骤; 一实施金属光罩、蚀刻该绝缘层,以形成凹陷部之 步骤; 一沈积金属层之步骤; 一研磨该金属层,以形成埋入式导体之步骤; 一沈积适当厚度之绝缘材料之蚀刻停止层的步骤; 一高厚度绝缘层沈积及平坦化之步骤; 一实施形成孔道之进行孔道光罩/蚀刻,以在蚀刻 孔道至 接触该蚀刻停止层停止层停止继续蚀刻之步骤; 一蚀刻去除该蚀刻停止层,而使下层导体上表面露 出孔道 之步骤; 一钨材料沈积/回蚀刻,以形成仅填入于孔道之钨 材料柱 之步骤;及 一重覆前述步骤以形成多层相互间以钨材料柱与 各层导体 衔接之孔道导线的步骤; 由上述步骤可形成金属宽度小于、等于或仅略微 大于孔道 之导线构造者。6. 如申请专利范围第5项所述之运 用蚀刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该蚀刻停止层为氮化矽或 其他绝 缘材料者。7. 如申请专利范围第5项所述之运用蚀 刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该覆盖在元件上方之绝缘 层可为 硼磷玻璃层者。8. 如申请专利范围第5项所述之运 用蚀刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该覆盖在元件上方之绝缘 层可为 氧化层者。9. 如申请专利范围第5项所述之运用蚀 刻停止层形成无重 叠孔道导线之方法,其中该研磨各层金属为使用化 学机械 研磨法完成者。图示简单说明: 第一图:系传统孔道导线制法剖面示意图。 第二图:系习知孔道导线剖面示意图(一)。 第三图:系习知另一种孔道导线剖面示意图(二)。 第四A-D图:系本发明之孔道导线制程剖面示意图。 第五A-E图:系本发明之另一实施例制程剖面示意图 。